闪存存储器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种闪存存储器及其制造方法，其在执行等离子体膜沉积工艺，以在沟槽和掩模层上形成隔离材料层时，衬底边缘区域的等离子沉积的速率慢于衬底中心区域等离子沉积的速率。进而使得在对衬底边缘区域进行等离子体沉积时的速率比较缓慢，以增加衬底边缘区域的沟槽内形成的隔离材料层的致密性。从而改善衬底边缘区域对沟槽的填充性能较差的问题，进而提升闪存存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】
闪存存储器及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种闪存存储器及其制造方法。
技术介绍
闪存存储器是集成电路产品中的一种重要器件。闪存存储器的主要特点是在不加电压的情况下能长期保持存储的信息，其具有集成度高、较快的存取速度和易于擦除等优点，因而得到广泛的应用。目前在进行闪存存储器的制造过程中，通常通过浅沟道隔离工艺以隔离位于衬底上的多个闪存存储器的有源区，即在衬底及其上方的材料层中开设沟槽，并在沟槽中填充隔离材料以形成隔离结构，用于隔离多个闪存存储器的有源区。但在目前的晶圆加工过程中，衬底各个位置的均一性并不好，尤其是在衬底的边缘区域对沟槽的填充性能较差，填充不足时很容易过早封口，再经过CPM(研磨)后暴露出来形成空洞，该空洞缺陷会造成存储单元失效，严重影响了闪存存储器的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种闪存存储器及其制造方法，以解决现有的闪存存储器衬底边缘区域浅沟道隔离结构容易形成空洞而导致存储单元失效的问题。为解决上述问题，本专利技术提供一种闪存存储器的制造方法，所述方法包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存存储器的制造方法，其特征在于，/n提供衬底；/n在所述衬底上形成掩模层，所述掩模层中开设有多个第一开口；/n以所述掩模层为掩模刻蚀所述衬底，以在所述衬底中形成多个第二开口，所述第二开口和所述第一开口贯通以形成沟槽；/n执行等离子体膜沉积工艺，以在所述沟槽和所述掩模层上形成隔离材料层，其中，在执行所述等离子体膜沉积工艺时，所述衬底边缘区域等离子沉积的速率慢于所述衬底中心区域等离子沉积的速率。/n研磨去除位于所述掩模层上的隔离材料层，以在沟槽内形成隔离结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种闪存存储器的制造方法，其特征在于，
提供衬底；
在所述衬底上形成掩模层，所述掩模层中开设有多个第一开口；
以所述掩模层为掩模刻蚀所述衬底，以在所述衬底中形成多个第二开口，所述第二开口和所述第一开口贯通以形成沟槽；
执行等离子体膜沉积工艺，以在所述沟槽和所述掩模层上形成隔离材料层，其中，在执行所述等离子体膜沉积工艺时，所述衬底边缘区域等离子沉积的速率慢于所述衬底中心区域等离子沉积的速率。
研磨去除位于所述掩模层上的隔离材料层，以在沟槽内形成隔离结构。


2.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，在所述衬底边缘朝向所述衬底中心的方向上，所述等离体沉积速率依次增大。


3.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，在形成隔离材料层之前，所述方法还包括：
刻蚀位于所述第一开口侧边的掩模层，以增大所述第一开口的宽度，其中，增大后的所述第一开口的宽度大于所述第二开口的宽度。


4.如权利要求3所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，刻蚀位于所述第一开口侧边的掩模层的方法为湿法刻蚀。


5.如权利要求4所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液为氢氟酸溶液，所述氢氟酸溶液中氟氢酸与水的质量比为：190:1～230:1,以及所述湿法刻蚀的刻蚀时间为3min～5min。


6.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，在所述掩模层中开设有多个第一开口的同时，所述方法还包括：在所述衬底边缘朝向所述衬底中心的方向上，使所述第一开口的宽度逐渐减小。


7.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成掩模层之前，所述方法还包括：在所述衬底上形成介...

【专利技术属性】
技术研发人员：冒俊霞，王明，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31