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本发明提供一种闪存存储器及其制造方法，其在执行等离子体膜沉积工艺，以在沟槽和掩模层上形成隔离材料层时，衬底边缘区域的等离子沉积的速率慢于衬底中心区域等离子沉积的速率。进而使得在对衬底边缘区域进行等离子体沉积时的速率比较缓慢，以增加衬底边缘区...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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