【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种检验半导体衬底晶体质量的方法与装置，特别是指利用线性偏振 光来检验半导体衬底晶体质量的方法与装置。二
技术介绍
半导体晶体材料的质量很大程度上取决于其缺陷密度，较高的缺陷密度会严重 降低材料质量，以及用该材料所制作器件的光学或电学等方面性能。因此，人们 通常希望制备尽可能低缺陷密度的晶体材料。那么，有效的材料缺陷表征方法在 半导体材料制备过程中就是必不可少的。目前半导体晶体材料缺陷表征方法有多种，以化合物半导体材料缺陷表征为例，常用的技术有X射线衍射(XRD)，透射电 子显微镜(TEM)，以及利用湿法刻蚀结合显微镜观察等。然而这些方法使用的仪器 都十分昂贵， 一般需百万元以上，特别是每次只能表征面积非常有限的一块区域， 无法对整片材料的缺陷分布情况给出直观的表征，而这却恰恰对工业上器件制备 成品率尤为重要。另外，用TEM表征材料，实验样品制作需要很长的准备周期， 不利于研究工作和工业生产的迅速开展；湿法刻蚀的方法虽然简便，然而却对材料 有不可恢复的破坏性。作为研究生产的材料数量每批都很有限，而且如GaN， SiC 体材料等材料，价格非常昂贵，因...
【技术保护点】
一种利用线性偏振光来检验半导体衬底晶体质量的方法，其特征在于，将两线偏振片按偏振方向互相垂直方式放置，处于完全消光状态。两偏振片中间放置需要表征缺陷的表面平整的片状晶体材料，晶体材料平面与两偏振片平面平行；用一光源产生强度均匀的光，垂直照射在一线偏振片上，产生线偏振光，该线偏振光再照射到晶体材料上，其透射光经过第二片偏振片，最后被光学成像系统接收并显示，光学成像系统显示的图像中局部的具有亮度反差或条纹区域与晶体材料中的缺陷相对应。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆海，苗操，张荣，郑有炓，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]
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