半导体装置封装及其制造方法制造方法及图纸

提供一种半导体装置封装，其包含衬底、半导体装置以及对准结构。将所述半导体装置以及所述对准结构安置在所述衬底上。所述对准结构与所述半导体装置直接接触。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装及其制造方法
本公开大体上涉及一种半导体装置封装及其制造方法。
技术介绍
技术(例如放置技术、粘合技术等)被用于制造半导体装置封装。在小型化趋势中，放置或粘合的准确度将变得相对重要。由于机械公差、光学公差等原因，将组件与半导体装置放置或粘合到载体时会出现偏差。此外，制造工具或装备的结构限制(例如大小)可能会妨碍半导体装置封装的小型化。
技术实现思路
本申请的一些实施例提供一种半导体装置封装，其包含衬底、第一半导体装置以及第一对准结构。所述第一半导体装置安置在所述衬底上。所述第一对准结构安置在所述衬底上。所述第一对准结构与所述第一半导体装置直接接触。本申请的一些实施例提供一种半导体装置封装，其包含衬底、第一半导体装置、安置在所述衬底上的第一导电结构、安置在所述半导体装置上的第一导电结构，以及连接元件。所述连接元件安置在所述衬底上的所述第一导电结构与所述半导体装置上的所述第一导电结构之间。所述第一连接元件在第一侧处具有相对较大体积。本申请的一些实施例提供一种制造半导体装置封装的方法。所述方法包含提供衬底，在所述衬底上安置有第一导电结构。所述方法进一步包含在所述衬底上形成第一对准结构。所述方法进一步包含在所述衬底上供应流体。所述方法进一步包含在所述流体上放置具有第一导电结构的第一半导体装置。附图说明当结合附图阅读时，从以下详细描述可较容易地理解本公开的各方面。应注意，各种特征可能未按比例绘制，且各种特征的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。图1A说明根据本申请的一些实施例的半导体装置封装的俯视图。图1B说明根据本申请的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。图1C说明根据本申请的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。图1D说明根据本申请的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。图1E说明根据本申请的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。图1F说明根据本申请的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。图2A说明根据本申请的一些实施例的如图1B中展示的点线圆C1中的一部分的放大图。图2B说明根据本申请的一些实施例的可能取代如图2A中所展示的结构的一种结构的放大图。图2C说明根据本申请的一些实施例的如图1B中展示的点线圆C2中的一部分的放大图。图2D说明根据本申请的一些实施例的如图1B中展示的点线圆C3中的一部分的放大图。图2E说明根据本申请的一些实施例的如图1B中展示的点线圆C4中的一部分的放大图。图2F说明根据本申请的一些实施例的如图1B中展示的点线圆C4中的一部分的放大图。图2G说明根据本申请的一些实施例的如图1B中展示的点线圆C4中的一部分的放大图。图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F、图3G以及图3H说明根据本申请的一些实施例的制造衬底的操作。图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、图4H、图4I、图4J、图4K、图4L、图4M、图4N以及图4O说明根据本申请的一些实施例的制造半导体装置封装的操作。图5A以及图5B说明根据本申请的一些实施例的各种类型的半导体装置封装。图6A说明根据本申请的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。图6B说明根据本申请的一些实施例的放置半导体装置的操作。图6C说明根据本申请的一些实施例的如图6B中展示的点线圆C5中的一部分的放大图。贯穿图式和详细描述使用共同附图标记来指示相同或类似元件。根据以下结合附图作出的详细描述，本公开将更显而易见。具体实施方式在下文详细论述本公开的实施例及其使用。然而，应了解，实施例阐述可在广泛多种具体背景下体现的许多适用的概念。应理解，以下公开内容提供实施各种实施例的不同特征的许多不同实施例或实例。下文出于论述的目的描述组件和布置的具体实例。当然，这些只是实例且并不希望为限制性的。空间描述，包含“上方”、“下方”、“向上”、“左侧”、“右侧”、“向下”、“顶部”、“底部”、“竖直”、“水平”、“侧面”、“较高”、“较低”、“上部”、“在上”、“在下”等等术语，除非另外规定，否则在本文中相对于展示于相对应的图式中的取向而使用。应理解，本文中所使用的空间描述是出于说明的目的，并且本文中所描述的结构的实际实施方案可在空间上以任何取向或方式布置，其限制条件为本公开的实施例的优点不会因此布置而有偏差。下文使用特定语言公开图中所说明的实施例或实例。然而，将理解，所述实施例和实例并不希望是限制性的。如相关领域的一般技术人员通常将想到，所公开的实施例的任何更改和变换以及本文件中所公开的原理的任何进一步应用均属于本公开的范围。另外，本公开可能在各个实例中重复附图标记和/或字母。此重复是出于简单和清楚的目的，且本身并不指示本文中论述的各种实施例和/或配置之间的关系。图1A说明根据本申请的一些实施例的半导体装置封装的俯视图。参考图1A，半导体装置封装1a包含半导体装置151、152以及对准结构161、162。设想图1A为简单起见仅说明半导体装置以及对准结构的布局，并且半导体装置封装1a的结构将通过随附图1B在下文进一步详述。图1A中未指示的半导体装置可以与半导体装置151或半导体装置152相同或类似。图1A中未指示的半导体装置可以与半导体装置151或半导体装置152不同。半导体装置151以及152可能包含例如但不限于其中集成有电路的半导体管芯(或芯片)，等等。半导体装置151的大小可与半导体装置152的大小不同。半导体装置151可与半导体装置152不同。在本申请的一些其它实施例中，半导体装置151可与半导体装置152相同或类似。图1A中未指示的对准结构可能与对准结构161或对准结构162相同或类似。图1A中未指示的对准结构可能与对准结构161或对准结构162不同。对准结构(例如161)可能限定容纳半导体装置(例如151)的空间、空腔或室。一些对准结构可以形成为一个整体件。一个对准结构可能与另一对准结构分离一定距离或空间。一个对准结构可能独立于另一对准结构。一个对准结构(例如161)可能与另一对准结构(例如162)相同或类似。一个对准结构可能与另一对准结构不同。对准结构161可具有矩形形状，等等。类似地，对准结构162可具有矩形形状，等等。对准结构161围封半导体装置151。对准结构161与半导体装置151直接接触。对准结构161的侧面s1与半导体装置151的侧面s2直接接触。对准结构161的侧面s3与半导体装置151的侧面s4直接接触。对准结构161的侧面s1与对准结构161的侧面s3相邻。半导体装置151的侧面s2与半导体装置151的侧面s4相邻。对准161具有拐角cor1、cor2、cor3、cor4。半导体装置151放置成与拐角cor1相邻。半导体装置151与拐角cor1直接接触。拐角cor1与拐角cor2对置。拐角cor1与拐角本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置封装，其包括：/n衬底；/n安置在所述衬底上的第一半导体装置；以及/n安置在所述衬底上的第一对准结构，/n其中所述第一对准结构与所述第一半导体装置直接接触。/n

【技术特征摘要】
20190131 US 16/264,6031.一种半导体装置封装，其包括：
衬底；
安置在所述衬底上的第一半导体装置；以及
安置在所述衬底上的第一对准结构，
其中所述第一对准结构与所述第一半导体装置直接接触。


2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一半导体装置具有第一表面以及与所述第一表面相邻的第二表面，并且所述第一对准结构具有第一表面以及与所述第一表面相邻的第二表面，其中所述第一半导体装置的所述第一表面与第一对准结构的所述第一表面直接接触，且其中所述第一半导体装置的所述第二表面与第一对准结构的所述第二表面直接接触。


3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一对准结构围封所述第一半导体装置。


4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一对准结构包括矩形状的壁。


5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一半导体装置安置为与所述第一对准结构的第一拐角相邻。


6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括：
安置在所述衬底上的第二对准结构；和
安置在所述衬底上的第二半导体装置，
其中所述第二对准结构与所述第二半导体装置直接接触。


7.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中所述第一半导体装置安置为与所述第一对准结构的第一拐角相邻，且所述第二半导体装置安置为与所述第二对准结构的第一拐角相邻，其中所述第二对准结构的所述第一拐角与所述第一对准结构的第二拐角相邻，且其中所述第一对准结构的所述第二拐角与所述第一对准结构的所述第一拐角对置。


8.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中所述第一半导体装置与所述第二半导体装置之间的距离等于或小于2mm。


9.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一对准结构包括光学可固化材料。


10.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括：
安置在所述衬底上的第一导电结构；
安置在所述第一半导体装置上的第一导电结构；以及
安置于安置在所述衬底上的所述第一导电结构与安置在所述第一半导体装置上的所述第一导电结构之间的第一连接元件，
其中所述第一连接元件在第一侧处具有相对较大体积。


11.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括：
安置在所述衬底上的第一导电结构；和
安置在所述第一半导体装置上的第一导电结构，
其中穿过安置在所述衬底上的所述第一导电结构的中心的轴线在...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71