【技术实现步骤摘要】
有双重冷却系统的多晶硅还原炉
本专利技术涉及一种多晶硅还原炉,主要是用于化学气相沉积法生产多晶硅的 还原炉。
技术介绍
目前,国内外生产多晶硅的主要工艺技术仍以"改良西门子法"为主,约占 总产量的百分之七十五左右,其主要方法是用氯气和氢气合成氯化氢,氯化 氢和硅粉在--定温度下合成三氯氢硅,然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯,提 纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后,在一定的温度和压力下通入多晶硅还原炉内,在直径3至5毫米、长约2. 3至2. 5米的导电硅芯上进行还原反应 沉积生成多晶硅,还原反应温度控制在1080摄氏度左右,最终生成直径20厘 米左右、长约2.4米的棒状多晶硅,同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、氯化氢 等副产物。多晶硅还原炉是"改良西门子法"生产多晶硅的主要设备,由底盘、含夹 套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气 管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水 出水管、电极冷却水进水管、电极冷却水出水管及其他附属部件组成,炉体主 体采用不锈钢材质制成,以减少设备材质对产品的污染,每对电极分正、 ...
【技术保护点】
有双重冷却系统的多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管、电极冷却水进水管、电极冷却水出水管及其他附属部件组成,炉体主体采用不锈钢材质制成,以减少设备材质对产品的污染,每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上,混和气进气管分为数个喷口均匀设置在底盘上,混和气出气管设置在底盘中心位置,其特征是在还原炉夹套内的上部增加低温冷却盘管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:朱青松,王存惠,
申请(专利权)人:朱青松,王存惠,
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]
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