【技术实现步骤摘要】
改进型多晶硅还原炉
本专利技术涉及一种多晶硅还原炉，主要是用于化学气相沉积法生产多晶硅的 还原炉。
技术介绍
目前，国内外生产多晶硅的主要工艺技术是"改良西门子法"用氯气和氢 气合成氯化氢，氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进 行分离精馏提纯，提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后，在一定的温度和压力下通入多晶硅还原炉内，在直径3至5毫米、长2.3至2.5米的导电硅 芯上进行反应沉积生成多晶硅，反应温度控制在1080摄氏度左右，最终生成直 径20厘米左右、长约2.4米的棒状多晶硅，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、 氯化氢等副产物。多晶硅还原炉是"改良西门子法"生产多晶硅的主要设备，由底盘、含夹 套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气 管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水 出水管、电极冷却水进水管、电极冷却水出水管及其他附属部件组成，炉体主 体采用不锈钢材质制成，以减少设备材质对产品的污染，每对电极分正、负极 均匀的设置在底盘上，混和气迸气管分为数个喷口均匀设置在底盘上，混和气 尾...
【技术保护点】
改进型多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气口、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管、电极冷却水进水管、电极冷却水出水管及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质制成，以减少设备材质对产品的污染，每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上，混和气进气管分为数个喷口均匀设置在底盘上，混和气尾气出气口设置在底盘中心位置，其特征是在底盘上增加一个混和气尾气出气导管，混和气尾气出气导管材质为石墨，石墨混和气尾气出气导管插置在底盘的混合气尾气出气口上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王存惠，朱青松，
申请(专利权)人：王存惠，朱青松，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]
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