改进的半导体电子致冷装置专用蒸发腔制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于半导体电子致冷及传热领域。特别是指一种与半导体电子致冷器配套使用的蒸发腔。包括与热管两端连通的密闭蒸发腔，蒸发腔为一内部开设有闭合管道或毛细微隙的实体结构，闭合管道或毛细微隙上开设有开口，该开口与热管在蒸发腔表面的开口连通。本实用新型专利技术解决了现有技术存在的热管散热器的中空梯形蒸发腔工作压力较大、且容易造成蒸发腔贴合面因压力过大而变形，贴合度受到影响，进而增加贴合面的接触热阻导致传热效率低的缺点。具有既增加了传热面积，又解决了与半导体致冷片的贴合面刚性不足、结构强度差的问题。在与热管联接时，减少了焊接点，提高装置整体的密封性。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体电子致冷及传热领域。特别是指一种与半导体电子致冷器配套使用的蒸发腔。
技术介绍
目前半导体电子致冷工作时，热端散热主要有三种形式①实体铝型材与半导体电子致冷器热端贴合，外加风扇进行强迫换热。②采用水冷方式，即在半导体电子致冷器热端贴合的金属空腔内充满传热工质，即水。借助泵作为动力，使金属空腔内的工质水强迫流动，使热量在循环流动中进行热交换。③采用热管传热技术，选择中空蒸发腔的一个平面与半导体电子致冷器热端贴合，利用蒸发腔内工质气液相变，进行能量交换。在河北节能投资有限责任公司申请、以专利号为98202764.8为主的多项专利文件中涉及的散热方式中采用的是上述第③种结构。以上三种形式中，第①种方式由于其成本低，在目前半导体电子致冷产品中，应用最为广泛。但其传热效率低，并且由于是强迫换热，风扇的噪音，以及使用寿命等缺陷难以克服。第②种方式由于采用水强迫循环散热，散热效率大大提高。但水泵的寿命、工作噪音、以及水源等方面的限制，使其不能广泛应用。第③种方式由于采用的是热管相变传热，克服了前两种由于强迫散热所带来的噪音及使用寿命等问题，但存在着1、热管散热器的中空梯形蒸发腔工作压力较大、且容易造成蒸发腔贴合面因压力过大而变形，贴合度受到影响，进而增加贴合面的接触热阻导致传热效率低的缺点。2、中空梯形蒸发腔与各热管循环管道需要焊接才能形成一个封闭、承压的循环回路，由于中空梯形蒸发腔成型前，是板材拉伸而成，故蒸发腔成型需要多个焊接点与较长的焊接缝，这样不仅增大了焊接工艺的难度，而且使产品在使用过程中发生微漏、渗漏的系数增大，产品的致冷性能不稳定。专利技术内容本技术的目的在于针对现有技术的不足，提供一种结构改进的半导体电子致冷装置专用蒸发腔，采用在实体结构的蒸发腔内部开设闭合管道或毛细微隙的技术手段，实现增强蒸发腔整体结构强度，简化生产工艺，解决其因为结构强度差从而影响与半导体致冷片的贴合度、以及密封性差的问题。本技术的整体结构是改进的半导体电子致冷装置专用蒸发腔，包括与热管1两端连通的密闭蒸发腔3；蒸发腔3为一内部开设有闭合管道2或毛细微隙的实体结构，闭合管道2或毛细微隙上设有开口，该开口与热管1在蒸发腔3表面的开口连通。本技术的具体结构特征还有闭合管道2为开设于蒸发腔3内部、由彼此连通的管道组成的闭合回路。闭合管道2为开设于蒸发腔3内部、由排管和列管组成的网状闭合回路。闭合管道2包括开设于蒸发腔3内部、且相互平行的排管或列管，其两端与蒸发腔3内部开设的空腔连通；热管1与蒸发腔3内部的空腔连通。闭合管道2的断面形状为圆形、矩形、长圆形、方形或多边形中的一种。蒸发腔3表面设置有散热片4。散热片4为相互平行的翅片，散热片4与蒸发腔3外表面采用一体化成型。蒸发腔3外形为柱状、棱台状、圆台状中的一种。蒸发腔3外形优选两侧设有凸耳5的四棱柱状，闭合管道2的断面形状优选圆形。本技术所取得的技术进步在于由于采取了在蒸发腔内设计了由排管与列管组成的闭合管道或毛细微隙，使相邻管道或毛细微隙之间的实体结构充分起到了联接筋的作用，既增加了传热面积，又解决了与半导体致冷片的贴合面刚性不足、结构强度差的问题。在与热管联接时，减少了焊接点，提高装置整体的密封性。附图说明本技术的附图有图1是本技术的整体结构示意图。图2是图1的C-C向视图。图3是图1的A-A向视图。图4是图1的B向视图。具体实施方式以下结合附图对本技术的实施例作进一步描述 本实施例的整体结构如图示，其中它包括与热管1两端连通的密闭蒸发腔3、设置于蒸发腔3表面的散热片4；蒸发腔3为一内部开设有闭合管道2的实体结构，闭合管道2为开设于蒸发腔3内部、由列管和与列管两端连通的蒸发腔3内部开设的空腔组成的网状闭合回路。热管1与蒸发腔3内部的空腔连通。闭合管道2上开设有开口，该开口与热管1在蒸发腔3表面的开口连通。闭合管道2的断面形状为圆形。散热片4为相互平行的翅片，散热片4与蒸发腔3外表面采用一体化挤压成型。蒸发腔3外形为两侧设有凸耳5的四棱柱状。权利要求1.改进的半导体电子致冷装置专用蒸发腔，包括与热管(1)两端连通的密闭蒸发腔(3)；其特征在于所述的蒸发腔(3)为一内部开设有闭合管道(2)或毛细微隙的实体结构，闭合管道(2)或毛细微隙上设有开口，该开口与热管(1)在蒸发腔(3)表面的开口连通。2.根据权利要求1所述的改进的半导体电子致冷装置专用蒸发腔，其特征在于所述的闭合管道(2)为开设于蒸发腔(3)内部、由彼此连通的管道组成的闭合回路。3.根据权利要求2所述的改进的半导体电子致冷装置专用蒸发腔，其特征在于所述的闭合管道(2)为开设于蒸发腔(3)内部、由排管和列管组成的网状闭合回路。4.根据权利要求1、2或3所述的改进的半导体电子致装置专用蒸发腔，其特征在于所述的闭合管道(2)包括开设于蒸发腔(3)内部、且相互平行的排管或列管，其两端与蒸发腔(3)内部开设的空腔连通；热管(1)与蒸发腔(3)内部的空腔连通。5.根据权利要求1所述的改进的半导体电子致冷装置专用蒸发腔，其特征在于所述的闭合管道(2)的断面形状为圆形、矩形、长圆形、方形或多边形中的一种。6.根据权利要求1所述的改进的半导体电子致冷装置专用蒸发腔，其特征在于所述的蒸发腔(3)表面设置有散热片(4)。7.根据权利要求6所述的改进的半导体电子致冷装置专用蒸发腔，其特征在于所述的散热片(4)为相互平行的翅片，散热片(4)与蒸发腔(3)外表面采用一体化成型。8.根据权利要求1所述的改进的半导体电子致冷装置专用蒸发腔，其特征在于所述的蒸发腔(3)外形为柱状、棱台状、圆台状中的一种。9.根据权利要求8所述的改进的半导体电子致冷装置专用蒸发腔，其特征在于所述的蒸发腔(3)外形为柱状。10.根据权利要求5或9所述的改进的半导体电子致冷装置专用蒸发腔，其特征在于所述的蒸发腔(3)外形优选两侧设有凸耳(5)的四棱柱状，闭合管道(2)的断面形状优选圆形。专利摘要本技术属于半导体电子致冷及传热领域。特别是指一种与半导体电子致冷器配套使用的蒸发腔。包括与热管两端连通的密闭蒸发腔，蒸发腔为一内部开设有闭合管道或毛细微隙的实体结构，闭合管道或毛细微隙上开设有开口，该开口与热管在蒸发腔表面的开口连通。本技术解决了现有技术存在的热管散热器的中空梯形蒸发腔工作压力较大、且容易造成蒸发腔贴合面因压力过大而变形，贴合度受到影响，进而增加贴合面的接触热阻导致传热效率低的缺点。具有既增加了传热面积，又解决了与半导体致冷片的贴合面刚性不足、结构强度差的问题。在与热管联接时，减少了焊接点，提高装置整体的密封性。文档编号F25B21/02GK2804729SQ200520024138公开日2006年8月9日 申请日期2005年5月26日 优先权日2005年5月26日专利技术者王双玲, 温金宇 申请人:王双玲本文档来自技高网...

【技术保护点】
改进的半导体电子致冷装置专用蒸发腔，包括与热管（１）两端连通的密闭蒸发腔（３）；其特征在于所述的蒸发腔（３）为一内部开设有闭合管道（２）或毛细微隙的实体结构，闭合管道（２）或毛细微隙上设有开口，该开口与热管（１）在蒸发腔（３）表面的开口连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王双玲，温金宇，
申请(专利权)人：王双玲，
类型：实用新型
国别省市：13[中国|河北]