制造使用可镀覆包封剂的封装体制造技术

一种封装体(100)，所述封装体包括第一包封剂(102)和第二包封剂(104)，所述第一包封剂(102)被配置使得导电材料(106)可镀覆在其上，所述第二包封剂(104)被配置使得导电材料(106)不可镀覆在其上。

Manufacture of encapsulation bodies using a coating sealer

【技术实现步骤摘要】
制造使用可镀覆包封剂的封装体本申请是申请日为2017年3月3日、申请号为201710124806.5、专利技术名称为“制造使用可镀覆包封剂的封装体”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种封装体、一种制造封装体，特别是半导体封装体的方法、可镀覆包封剂的一种预混物、一种制造可镀覆包封剂的方法、一种包封剂以及一种制造包封剂的方法。
技术介绍
封装体可被表示为具有电连接部的包封的电子芯片，所述电连接部从包封剂延伸出来并且安装至外围电子装置，例如安装在印刷电路板上。封装体成本是对行业非常重要驱动因素。与此相关的是性能、尺寸和可靠性。不同的封装解决方案是多种多样的，并必须满足应用的各种需要。有需要高性能的应用，有其他的可靠性是最优先考虑的应用，但所有都需要可能的最低成本。
技术实现思路
可能有以简单并可靠的方式制造封装体的需要。根据一个示例性实施例，提供一种封装体(特别是半导体封装体)，其包括被配置使得导电材料可镀覆在其上的第一包封剂和被配置使得导电材料不可镀覆在其上的第二包封剂(特别地由与第一包封剂不同的另一种材料制成)。根据另一个示例性实施例，提供一种制造封装体的方法，其中，所述方法包括：形成被配置使得导电材料可镀覆(特别是以非电解式镀覆方式可镀覆)在其上的第一包封剂，形成被配置使得导电材料不可镀覆在其上的第二包封剂，以及将导电材料选择性地镀覆(特别是非电解式镀覆)在第一包封剂的表面上，而不将导电材料镀覆在第二包封剂的表面上。根据又一个示例性实施例，提供可镀覆包封剂的预混物，其中，所述预混物包括过渡金属、聚合物簇、以及在过渡金属与聚合物簇之间的偶联剂。根据另一个示例性实施例，提供一种制造可镀覆包封剂的方法，其中，所述方法包括：提供包括过渡金属和聚合物簇的过渡金属-聚合物化合物，去除聚合物簇的表面部分以从而暴露过渡金属，以及活化过渡金属的暴露表面。根据另一个示例性实施例，提供一种用于包封半导体芯片的包封剂，其中，所述包封剂包括电绝缘包封剂基底材料和可活化镀覆催化剂，所述可活化镀覆催化剂可从包封剂不可用导电材料镀覆的去活化状态转化为包封剂可用导电材料镀覆的活化状态。根据又一个示例性实施例，提供一种制造包封剂的方法，其中，所述方法包括提供化合物(诸如材料组合物，特别是固体化合物)，所述化合物包括电绝缘包封剂基底材料和在化合物不可用导电材料镀覆的去活化状态下的可活化镀覆催化剂，以及将镀覆催化剂中的至少一部分从去活化状态转化为化合物可用导电材料镀覆的活化状态。根据又一个示例性实施例，可镀覆第一包封剂和不可镀覆第二包封剂用于包括集成天线的封装体。根据本专利技术的一个方面的一个示例性实施例，封装体的第一部分由可镀覆包封剂形成，在其上能够镀覆(特别是非电解式镀覆)导电材料，封装体的另一部分由不可镀覆包封剂形成，在其上不能够镀覆(特别是非电解式镀覆)导电材料。这使得能够实施简单的镀覆工艺，其将选择性地导致导电层仅在可镀覆包封剂的外部表面上，而不在不可镀覆包封剂的外部表面上。因为互连的包封剂的几何形状可单独地限定镀覆区域和非镀覆区域，因此可避免或至少减少繁琐的图案化过程等等。这使得能够简单并快速形成在封装体上的导电表面结构，诸如天线结构和/或用于这种天线结构的导线连接、EMI(电磁干扰)屏蔽结构等等。根据本专利技术的另一方面的一个示例性实施例，提供用于可镀覆包封剂的预混物，基于所述预混物，通过简单地暴露并活化形成此预混物中的一部分的过渡金属，可容易地制备可镀覆包封剂。活化过渡金属可涉及将过渡金属转化为比转化之前显著更良好导电的电荷状态，从而使活化的过渡金属能够用作镀覆过程，特别是非电解式镀覆过程的基础。根据本专利技术的又一方面的一个示例性实施例，提供选择性可活化包封剂，其当被活化(即导电材料可通过镀覆，特别是非电解式镀覆沉积在活化的包封剂上)时是可镀覆的。可通过化合物的电绝缘(优选导热的)包封剂基底材料来实现实际的包封功能，而可通过化合物的镀覆催化剂(诸如过渡金属)使可镀覆性成为可能。换言之，镀覆催化剂当被活化时，特别是当进入高导电(例如金属的/电中性的)状态中时可催化镀覆过程。说明另外的示例性实施例下文中，将解释以下的另外的示例性实施例：封装体、制造封装体的方法、可镀覆包封剂的预混物、制造可镀覆包封剂的方法、包封剂、制造包封剂的方法和使用方法。在本申请的上下文中，术语“封装体”可特别地表示至少一个至少被部分地包封的具有至少一个外部电接触部的半导体芯片。在本申请的上下文中，术语“镀覆”可特别地表示表面覆盖或涂覆，通过其诸如金属的导电材料沉积在至少部分导电的表面上。镀覆可以是电镀覆或非电解式镀覆。也可表示为化学或自催化镀覆的非电解式镀覆可表示为非电镀覆方法，其涉及在不使用外部电能的情况下在溶液中(特别是在水溶液中)发生的反应。在本申请的上下文中，术语“包封剂”可特别地表示包围(优选包封地包围)半导体芯片等的基本上电绝缘且优选地导热的材料，以便提供机械保护、电气安装以及可选地在运行期间有助于散热。这种包封剂可以是例如模制化合物或层压体。在本申请的上下文中，术语“可镀覆”可特别地表示基底材料的在其上可通过镀覆，特别是非电解式镀覆施加导电材料的性质。可由包括特别是在电中性状态下的金属颗粒的材料来提供可镀覆基底。在本申请的上下文中，术语“不可镀覆”可特别地表示基底材料的在其上不可通过镀覆，特别是非电解式镀覆施加导电材料的性质。可由基本上电绝缘的材料提供不可镀覆基底。在本申请的上下文中，术语包封剂的“预混物”可特别地表示基于其可制造包封剂，特别是可镀覆包封剂的材料(诸如化学组合物)或另一种半成品。在本申请的上下文中，术语“镀覆催化剂”可特别地表示用于制造具有以下性质的包封剂的化合物的成分：所述包封剂具有充当用于通过镀覆来沉积导电材料的基底的性质。所述镀覆催化剂可以是促进镀覆过程的实际成分，诸如过渡金属。在本申请的上下文中，术语“过渡金属”可特别地表示这种元素：所述元素的原子具有部分填充的d亚层，或者可产生具有不完全d亚层的阳离子。过渡金属的示例是钯、铜或镍。在一个实施例中，封装体包括至少一个半导体芯片，所述半导体芯片至少部分地嵌入或包封在第一包封剂和/或第二包封剂中。这种半导体芯片可包括半导体衬底(诸如硅片)，其中，至少一个集成电路元件(诸如晶体管或二极管)形成或集成在芯片的有源区域中。在一个实施例中，封装体包括至少一个天线结构，所述天线结构至少部分地在第一包封剂和第二包封剂中的至少一个之上和/或之内，特别是至少部分地位于封装体的表面处。这种天线结构可以是能够发射电磁辐射的发射机天线，能够接收电磁辐射的接收机天线或能够发射和接收电磁辐射的收发机天线。这种天线结构可电连接至上文提到的半导体芯片，所述半导体芯片转而可处理由天线接收的信号和/或可向天线发送信号，形成用于所发射的电磁辐射的基础。在一个实施例中，第一包封剂和第二包封剂中的至少一个是模制化合物。特别地，第一包封剂可以是在模制基质本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造封装体的方法，所述方法包括：/n利用包括浓度在10ppm-10000ppm的范围内的过渡金属的包封剂嵌埋半导体芯片；/n选择性地转化过渡金属的一部分，使得包封剂的导电性增加；以及/n给包封剂的被转化的部分镀覆导电材料。/n

【技术特征摘要】
20160303 DE 102016103790.71.一种制造封装体的方法，所述方法包括：
利用包括浓度在10ppm-10000ppm的范围内的过渡金属的包封剂嵌埋半导体芯片；
选择性地转化过渡金属的一部分，使得包封剂的导电性增加；以及
给包封剂的被转化的部分镀覆导电材料。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法进一步包括：
将再分布层与半导体芯片电耦接。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，
再分布层与半导体芯片被电耦接以提供与再分布层和至少部分地位于封装体的表面处的外围电子装置的导电耦接。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述镀覆包括给包封剂的被转化的部分的外侧向侧壁镀覆导电材料。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述包封剂的侧壁在所述镀覆之前被暴露，特别是通过锯切被暴露，同时所述封装体的所述包封剂布置在临时载体之上。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，
选择性地转化过渡金属的一部分包括：激光处理或化学还原。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述镀覆是非电解式镀覆。


8.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述过渡金属选自由钯、镍和铜构成的组中的至少一种。


9.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述半导体芯片是功率半导体芯片。


10.根据权利要求3所述的方法，其中，
所述外围电子装置包括印刷电路板、天线结构、用于天线结构的导线连接、电磁干扰屏蔽结构和无源部件中的至少一种。


11.根据权利要求1所述的方法，其中，
将络合剂偶联至所述过渡金属，特别地被配置为增强化学硬脂酸效果以保持在块状模制化合物中所述过渡金属的电绝缘特性。


12.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述包封剂包括聚合物簇和在所述过渡金属与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈淑雯，张超发，蔡国耀，吴顺禄，李瑞家，J·马勒，黄美晶，施明计，G·C·郑，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE