System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 位置传感器系统技术方案_技高网

位置传感器系统技术方案

技术编号:41272622 阅读:6 留言:0更新日期:2024-05-11 09:26
本公开的实施例涉及位置传感器系统。位置传感器系统的一个示例包括磁体组件(1),磁体组件分别具有至少一个北极(2)和南极(4)。第一传感器(10)与磁体组件(1)间隔开,其中第一传感器(10)包括四个在第一全桥电路中互相连接并且对于第一场方向(22)敏感的磁阻元件,其中第一全桥电路的第一分支(12)的两个磁阻元件(12a、12b)以多于0.5mm的间距(16)布置,并且其中第一全桥电路的第二分支(14)的两个磁阻元件(14a、14b)以间距(16)布置。磁体组件(1)和传感器(10)能够在测量方向(20)上相对于彼此运动。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及具有传感器和磁体组件的位置传感器系统


技术介绍

1、用于线性位置和运动检测的位置传感器系统具有许多应用。

2、通常,这种位置传感器系统基于对磁场的测量,对此例如使用测量几何形状已知的磁场组件的磁场的线性霍尔和3d磁场传感器。传统的线性霍尔和3d磁场传感器是单个单元传感器,并且因此相对于杂散场具有较小的鲁棒性。可能存在的外部磁场干扰待测量的磁场的场并且因此可能导致错误的位置信息。

3、这些问题可能例如在车辆的电传动系中出现,其中用于驱动车辆的电动马达部分地产生非常强的磁场。

4、存在对改进位置传感器系统的需求。


技术实现思路

1、该需求通过根据本申请的主题来满足。

2、位置传感器系统例如包括磁体组件,磁体组件分别具有至少一个北极和南极。第一传感器与磁体组件间隔开,其中第一传感器包括四个在第一全桥电路中互相连接的并且对于第一场方向敏感的磁阻(mr)元件,其中第一全桥电路的第一分支的两个磁阻元件以多于0.5mm的间距布置,并且其中第一全桥电路的第二分支的两个磁阻元件以所述间距布置。磁体组件和所述传感器在测量方向上可相对于彼此运动。

3、在一个分支内的磁阻元件彼此之间的间距引起已经在桥电路自身内对杂散场的补偿,这些杂散场分别同相地并且以相同的强度与两个磁阻元件叠加并且因此基于桥电路的测量原理进行补偿。同时,桥电路的同向作用的磁阻元件可以关于待测量的磁场的相位位置处于相同位置。由此,该测量结果可以比如下的其他解决方案更精确:其他解决方案具有两个分支彼此的空间错位,进而具有磁阻元件在分离的分支内所处的位置之间的磁场的相位差。

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【技术保护点】

1.一种位置传感器系统,包括:

2.根据权利要求1所述的位置传感器系统,其中,四个所述磁阻元件(12a、12b、14a、14b)基于磁隧道电阻TMR。

3.根据权利要求1或2所述的位置传感器系统,还包括:第二传感器(30),所述第二传感器与所述磁体组件间隔开,其中所述第二传感器(30)包括四个在第二全桥电路中互相连接并且对于第二场方向(24)敏感的磁阻元件,其中所述第二全桥电路的第一分支(32)的两个磁阻元件以所述间距(16)布置,并且其中所述第二全桥电路的第二分支(34)的两个磁阻元件以所述间距(16)布置,其中,

4.根据权利要求3所述的位置传感器系统,其中,所述测量方向(20)在由所述第一场方向(22)和所述第二场方向(24)展开的平面中延伸。

5.根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器系统,其中,所述间距(16)大于或等于0.8mm、1.0mm、1.5mm、2.0mm、2.5mm或3mm。

6.根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器系统,其中,所述间距(16)平行于所述测量方向(20)。

7.根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器系统,其中,所述间距(16)垂直于所述测量方向(20)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器系统,其中,所述磁体组件与所述第一传感器(10)之间的最小间距(18)大于0.5mm、大于0.8mm或大于1.0mm。

9.根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器系统,其中,所述第一传感器(10)的四个所述磁阻元件(12a、12b、14a、14b)布置在共同的壳体中。

10.根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器系统,其中,所述磁体组件(1)包括烧结的铁氧体材料。

11.根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器系统,其中,所述传感器的第一分支(12)的磁阻元件在所述测量方向上与所述第二传感器(30)的第一分支(32)的磁阻元件处于基本相同的位置。

12.根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器系统,其中,所述磁体组件由单个偶极磁体(1)组成。

13.根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器系统,还包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种位置传感器系统,包括:

2.根据权利要求1所述的位置传感器系统,其中,四个所述磁阻元件(12a、12b、14a、14b)基于磁隧道电阻tmr。

3.根据权利要求1或2所述的位置传感器系统,还包括:第二传感器(30),所述第二传感器与所述磁体组件间隔开,其中所述第二传感器(30)包括四个在第二全桥电路中互相连接并且对于第二场方向(24)敏感的磁阻元件,其中所述第二全桥电路的第一分支(32)的两个磁阻元件以所述间距(16)布置,并且其中所述第二全桥电路的第二分支(34)的两个磁阻元件以所述间距(16)布置,其中,

4.根据权利要求3所述的位置传感器系统,其中,所述测量方向(20)在由所述第一场方向(22)和所述第二场方向(24)展开的平面中延伸。

5.根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器系统,其中,所述间距(16)大于或等于0.8mm、1.0mm、1.5mm、2.0mm、2.5mm或3mm。

6.根据前述权利要求中任一项所述的位置传感器系统,其中,所述间距(16)平行于所述测量方...

【专利技术属性】
技术研发人员:G·宾德
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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