半导体器件和形成集成电路封装件的方法技术

在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；密封剂，至少部分地密封集成电路管芯；位于密封剂上的再分布结构，再分布结构电连接至集成电路管芯，再分布结构包括焊盘；无源器件，包括物理和电连接至焊盘的导电连接件；以及保护结构，设置在无源器件和再分布结构之间，保护结构围绕导电连接件，保护结构包括环氧树脂助焊剂，保护结构中设置有空隙。本发明专利技术的实施例还涉及形成集成电路封装件的方法。

Semiconductor devices and methods of forming integrated circuit packages

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和形成集成电路封装件的方法
本专利技术的实施例涉及半导体器件和形成集成电路封装件的方法。
技术介绍
由于各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体工业经历了快速的增长。在大多数情况下，集成密度的改进来自最小部件尺寸的重复减小，这允许更多的组件集成到给定区域中。随着对缩小电子器件的需求的增长，已经出现了对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需求。这种封装系统的实例是叠层封装(PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上，以提供高水平的集成度和组件密度。PoP技术通常能够在印刷电路板(PCB)上生产功能增强且占位面积小的半导体器件。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种形成集成电路封装件的方法，包括：用密封剂密封集成电路管芯；在所述密封剂上形成再分布结构，所述再分布结构电连接至所述集成电路管芯，所述再分布结构包括第一焊盘和第二焊盘；在所述第一焊盘上分配环氧树脂助焊剂以形成保护结构；在固化所述环氧树脂助焊剂之前，将无源器件压入所述保护结构中以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成集成电路封装件的方法，包括：/n用密封剂密封集成电路管芯；/n在所述密封剂上形成再分布结构，所述再分布结构电连接至所述集成电路管芯，所述再分布结构包括第一焊盘和第二焊盘；/n在所述第一焊盘上分配环氧树脂助焊剂以形成保护结构；/n在固化所述环氧树脂助焊剂之前，将无源器件压入所述保护结构中以将所述无源器件物理耦合至所述第一焊盘；/n在所述第二焊盘上形成第一导电连接件；以及/n实施单个热处理工艺以同时固化所述保护结构并且回流所述第一导电连接件，在所述单个热处理工艺之后，所述第一导电连接件将所述无源器件物理和电耦合至所述第一焊盘。/n

【技术特征摘要】
20181130 US 62/773,482;20190701 US 16/458,9601.一种形成集成电路封装件的方法，包括：
用密封剂密封集成电路管芯；
在所述密封剂上形成再分布结构，所述再分布结构电连接至所述集成电路管芯，所述再分布结构包括第一焊盘和第二焊盘；
在所述第一焊盘上分配环氧树脂助焊剂以形成保护结构；
在固化所述环氧树脂助焊剂之前，将无源器件压入所述保护结构中以将所述无源器件物理耦合至所述第一焊盘；
在所述第二焊盘上形成第一导电连接件；以及
实施单个热处理工艺以同时固化所述保护结构并且回流所述第一导电连接件，在所述单个热处理工艺之后，所述第一导电连接件将所述无源器件物理和电耦合至所述第一焊盘。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
将所述集成电路管芯放置为邻近导电通孔，所述再分布结构电连接至所述导电通孔；以及
用所述密封剂密封所述导电通孔。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述无源器件包括第二导电连接件，将所述无源器件压入所述保护结构中，直至所述第二导电连接件接触所述第一焊盘，所述第二导电连接件包括可回流材料。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，实施所述单个热工艺来回流所述第二导电连接件。


5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述保护结构具有设置在所述无源器件和所述再分布结构之间的空隙。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述保护结构将所述空隙与所述无源器件、所述再分布结构、所述第二导电连接件和所述第一焊盘分隔开。


7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述保护结...

【专利技术属性】
技术研发人员：余人睿，裴浩然，陈威宇，张家纶，林修任，谢静华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71