封装件及其形成方法技术

形成封装件的方法包括在载体上形成再分布结构，将集成无源器件附接至再分布结构的第一侧上，将互连结构附接至再分布结构的第一侧，集成无源器件介于再分布结构和互连结构之间，在互连结构和再分布结构之间沉积底部填充材料，以及将半导体器件附接至与再分布结构的第一侧相对的再分布结构的第二侧。本发明专利技术的实施例还涉及封装件。

Package and its forming method

【技术实现步骤摘要】
封装件及其形成方法
本专利技术的实施例涉及封装件及其形成方法。
技术介绍
半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这使得更多的组件，因此更多的功能可以集成至给定的区域中。具有高功能的集成电路需要许多输入/输出焊盘。然而，对于小型化非常重要的应用，可能需要小的封装件。集成扇出(InFO)封装技术正变得越来越流行，尤其是与晶圆级封装(WLP)技术接合使用时，其中将集成电路封装在通常包含再分布层(RDL)或后钝化互连的封装件中，该后钝化互连通常用于封装件的接触焊盘的扇出布线，使得可以以比集成电路的接触焊盘更大的间距制成电接触件。这样得到的封装结构提供了具有相对低成本和高性能封装件的高功能密度。
技术实现思路
本专利技术的一些实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：在载体上形成再分布结构；将集成无源器件附接至所述再分布结构的第一侧上；将互连结构附接至所述再分布结构的第一侧，所述集成无源器件介于所述再分布结构和所述互连结构之间；在所述互连结构和所述再分布结构之间沉积底部填充材料；将半导体器件附接至与所述再分布结构的第一侧相对的所述再分布结构的第二侧上。本专利技术的另一实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：在载体衬底上形成第一接触焊盘；在所述第一接触焊盘上形成再分布结构；在所述再分布结构上形成第二接触焊盘；将集成无源器件电连接至所述第二接触焊盘的第一组；使用导电连接件将互连结构电连接至所述第二接触焊盘的第二组；以及将半导体管芯电连接至所述第一接触焊盘。本专利技术的又一实施例涉及一种封装件，包括：互连结构；再分布结构，电连接至所述互连结构；至少一个集成器件，位于所述再分布结构和所述互连结构之间的间隙中，所述至少一个集成器件电连接至所述互连结构；底部填充材料，位于所述再分布结构和所述互连结构之间的间隙中，所述底部填充材料从所述再分布结构延伸至所述互连结构并且至少横向地围绕所述至少一个集成器件；以及至少一个半导体器件，位于所述再分布结构的与所述集成器件相对的侧上，所述至少一个半导体器件电连接至所述再分布结构。附图说明当接合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1至图4示出了根据一些实施例的形成器件结构的中间步骤的截面图。图5A至图5C示出了根据一些实施例的形成互连结构的中间步骤的截面图。图6至图11示出了根据一些实施例的形成封装件的中间步骤的截面图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。器件可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。在本专利技术中，描述了器件封装件的各个方面及其形成。器件封装件可以是例如系统级封装件。在一些实施例中，可在载体衬底上方形成再分布结构，以及然后将集成无源器件附接至该再分布结构。再分布结构可以是例如扇出结构。互连结构形成在芯衬底上，并且然后通过设置在互连结构和再分布结构之间的集成无源器件附接至再分布结构。然后将半导体器件附接至再分布结构。通过将集成无源器件放置在再分布结构和互连结构之间，可以减小半导体器件和集成无源器件之间的距离，并且可以改善封装件的电性能。图1至图11示出了根据一些实施例的形成封装件600(见图11)的中间步骤的截面图。图1至图4示出了根据一些实施例的形成器件结构200(见图4)的中间步骤的截面图。图5A至图5C示出了根据一些实施例的形成互连结构300的中间步骤的截面图。图6至图11示出了根据一些实施例的形成封装件600的中间步骤的截面图。现在参考图1，示出了根据一些实施例的其上已经形成接触焊盘104的载体衬底102。载体衬底102可以包括例如硅基材料，诸如硅衬底(例如硅晶圆)、玻璃材料、氧化硅、或诸如氧化铝等的其它材料或它们的组合。在一些实施例中，载体衬底102可以是面板结构，其可以是例如由诸如玻璃材料或有机材料的合适的介电材料形成的支撑衬底，并且可以具有矩形形状。载体衬底102可以是平面的，以适应附加部件的形成，诸如接触焊盘104。在一些实施例中，可以在载体衬底102的顶面上形成释放层(未示出)，以促进载体衬底102的后续剥离。释放层可以由基于聚合物的材料形成，其可以与载体衬底102一起从将在后续步骤中形成的上面的结构中去除。在一些实施例中，释放层是基于环氧的热释放材料，其在加热时失去粘合性，诸如光热转换(LTHC)释放涂层。在其它实施例中，释放层可以是紫外线(UV)胶，当暴露于紫外线时其失去粘合性。释放层可以以液体的形式分布并且固化，可以是层压在载体衬底102上的层压膜等。释放层的顶面可以是水平的并且可以具有高度的共平面度。在实施例中，可以首先通过使用诸如PVD、CVD、溅射等合适的形成工艺形成钛、铜或钛-铜合金的一层或多层的晶种层(未示出)来形成接触焊盘104。晶种层形成在载体衬底102或释放层(如果存在)上方。然后可以形成光刻胶(也未示出)以覆盖晶种层，并且然后图案化晶种层以暴露晶种层中的位于随后将形成接触焊盘104的那些部分。一旦已经形成并且图案化光刻胶，则可以在晶种层上形成导电材料。导电材料可以是诸如铜、钛、钨、铝、其它金属等或它们的组合的材料。可以通过诸如电镀或化学镀等的沉积工艺来形成导电材料。然而，虽然所讨论的材料和方法适合于形成导电材料，但是这些仅是实例。可以可选地使用任何其它合适的材料或任何其它合适的形成工艺(诸如CVD或PVD)来形成接触焊盘104。一旦形成导电材料，则可以通过诸如灰化或化学剥离的合适的去除工艺去除光刻胶。此外，在去除光刻胶之后，可以通过例如合适的湿蚀刻工艺或干蚀刻工艺去除晶种层的由光刻胶覆盖的那些部分，其可以使用导电材料作为蚀刻掩模。晶种层的剩余部分和导电材料形成接触焊盘104。转至图2，根据一些实施例，在接触焊盘104和载体衬底102上方形成再分布结构210。所示的再分布结构210包括绝缘层208A-208G(为清楚起见，仅标记了绝缘层208A和208G)，并且包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成封装件的方法，包括：/n在载体上形成再分布结构；/n将集成无源器件附接至所述再分布结构的第一侧上；/n将互连结构附接至所述再分布结构的第一侧，所述集成无源器件介于所述再分布结构和所述互连结构之间；/n在所述互连结构和所述再分布结构之间沉积底部填充材料；/n将半导体器件附接至与所述再分布结构的第一侧相对的所述再分布结构的第二侧上。/n

【技术特征摘要】
20181130 US 62/774,119;20190701 US 16/458,3741.一种形成封装件的方法，包括：
在载体上形成再分布结构；
将集成无源器件附接至所述再分布结构的第一侧上；
将互连结构附接至所述再分布结构的第一侧，所述集成无源器件介于所述再分布结构和所述互连结构之间；
在所述互连结构和所述再分布结构之间沉积底部填充材料；
将半导体器件附接至与所述再分布结构的第一侧相对的所述再分布结构的第二侧上。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述互连结构包括芯衬底。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述底部填充材料覆盖所述互连结构的侧壁。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，覆盖所述互连结构的侧壁的所述底部填充材料与所述再分布结构的侧壁共面。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述互连结构附接至所述再分布结构包括：
在所述再分布结构上形成多个焊料凸块；以及
将所述互连结构放置在所述多个焊料凸块上。


6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在附接所述集成无源器件和所述互连结构之后，对所述集成无源器件和所述互连结构实施回流工艺。


...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊毅，余振华，陈建勋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71