【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般地涉及一种用于电子系统的系统和方法，并且在特定实施例中，涉及一种rf放大器。
技术介绍
1、无线系统(诸如，无线手持式装置和具有wifi功能的器具)继续变得无处不在。除了变得更加普遍之外，已花费很多精力来减小这种无线装置的功耗以便缩小其尺寸，降低其操作温度，使其更加适合于电池操作，并且减小其成本。
2、在许多无线系统中，在操作期间使用的很大部分功率是由用于传送无线信号的射频(rf)功率放大器消耗的功率。因为rf功率放大器使用这种大部分的系统功率预算，所以已做了许多工作来改进rf功率放大器的功率效率。
3、在许多情况下，基于rf系统所需的信令的类型，能够选择功率放大器的架构。例如，具有高峰均比的信号(诸如，正交频分复用(ofdm))，使用多个放大器的rf放大器(诸如，多尔蒂(doherty)放大器)能够被用于改进功率效率。
4、多尔蒂放大器通常包括并行地操作的两个放大器。第一放大器被称为“载波放大器”，用于相对低的信号电平，而第二放大器被称为“峰值放大器”，所述“峰值放大器”在高信号电平的时段期间被使用，但在相对低的信号电平时段期间被关闭。由于与低振幅信号相比具有高峰均比的信号趋向于具有更低比例的高振幅信号，所以在较低振幅信号活动的时段期间使峰值放大器不活动可节省很大量功率。
技术实现思路
1、根据实施例，一种rf放大器包括：第一放大器，包括第一晶体管，所述第一晶体管被耦合到第一供给节点，所述第一供给节点被配置为提供第一供给电压，所述
2、根据另一实施例，一种方法包括：将第一供给电压提供给第一放大器，所述第一放大器包括具有第一装置周界的第一晶体管；将第二供给电压提供给第二放大器，所述第二放大器包括具有比所述第一装置周界小的第二装置周界的第二晶体管，其中所述第二供给电压高于所述第一供给电压；将rf输入信号提供给所述第一放大器和所述第二放大器的输入；使用所述第一放大器和所述第二放大器来放大所述rf输入信号；并且使用组合网络来组合所述第一放大器的输出与所述第二放大器的输出以形成rf输出信号。所述第一装置周界、所述第一供给电压、所述第二装置周界和所述第二供给电压被配置为保持0.3和1.0之间的结温比，并且所述结温比是所述第一放大器的温度与所述第二放大器的温度之比。
3、根据另一实施例，一种放大器包括：第一氮化镓(gan)晶体管，被耦合到被配置为接收第一供给电压的第一供给节点并且具有第一装置周界；第二gan晶体管，被耦合到被配置为接收比所述第一供给电压高的第二供给电压的第二供给节点并且具有比所述第一装置周界小的第二装置周界，其中所述第二gan晶体管被偏置为c类放大器；输入网络，被耦合到输入端口、所述第一gan晶体管的控制节点和所述第二gan晶体管的控制节点；和组合网络，被耦合到输出端口、所述第一gan晶体管的输出节点和所述第二gan晶体管的输出节点。所述第一装置周界、所述第一供给电压、所述第二装置周界和所述第二供给电压被配置为针对具有给定峰均比的rf输入信号保持0.3和1.0之间的结温比，并且所述结温比是所述第一gan晶体管的温度与所述第二gan晶体管的温度之比。
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1.一种RF放大器，包括：
2.如权利要求1所述的RF放大器，其中所述第一装置周界、所述第一供给电压、所述第二装置周界和所述第二供给电压被配置，以使得所述第一放大器和所述第二放大器递送相同的峰值功率。
3.如权利要求1所述的RF放大器，其中所述第一装置周界、所述第一供给电压、所述第二装置周界和所述第二供给电压被配置为针对具有第一概率密度函数的第一信号保持0.3和1.0之间的结温比。
4.如权利要求1所述的RF放大器，其中所述第一装置周界、所述第一供给电压、所述第二装置周界和所述第二供给电压被配置为针对由所述第二晶体管提供的平均功率与由所述第一晶体管提供的平均功率的给定比率保持0.3和1.0之间的结温比。
5.如权利要求1所述的RF放大器，进一步包括：输入网络，具有耦合到RF输入端口的第一输入、耦合到所述第一放大器的输入的第一输出和耦合到所述第二放大器的输入的第二输出。
6.如权利要求5所述的RF放大器，其中：
7.如权利要求5所述的RF放大器，其中：
8.如权利要求5所述的RF放大器，其中
...【技术特征摘要】
1.一种rf放大器，包括：
2.如权利要求1所述的rf放大器，其中所述第一装置周界、所述第一供给电压、所述第二装置周界和所述第二供给电压被配置，以使得所述第一放大器和所述第二放大器递送相同的峰值功率。
3.如权利要求1所述的rf放大器，其中所述第一装置周界、所述第一供给电压、所述第二装置周界和所述第二供给电压被配置为针对具有第一概率密度函数的第一信号保持0.3和1.0之间的结温比。
4.如权利要求1所述的rf放大器，其中所述第一装置周界、所述第一供给电压、所述第二装置周界和所述第二供给电压被配置为针对由所述第二晶体管提供的平均功率与由所述第一晶体管提供的平均功率的给定比率保持0.3和1.0之间的结温比。
5.如权利要求1所述的rf放大器，进一步包括：输入网络，具有耦合到rf输入端口的第一输入、耦合到所述第一放大器的输入的第一输出和耦合到所述第二放大器的输入的第二输出。
6.如权利要求5所述的rf放大器，其中：
7.如权利要求5所述的rf放大器，其中：
8.如权利要求5所述的rf放大器，其中
9.如权利要求5所述的rf放大器，进一步包括：
10.如权利要求9所述的rf放大器，其中：
11.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·坎宁，H·布雷奇，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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