形成半导体装置的方法制造方法及图纸

一种形成半导体装置的方法，包括在第一主动区上形成第一栅极结构。第一栅极结构包括第一导电层。使用工艺气体混合物来执行蚀刻工艺，以掘入第一栅极结构并定义凹槽。蚀刻工艺包括第一阶段以在第一导电层上形成聚合物层，并修改第一导电层的一部分以形成第一导电层的经修改部分，且循环蚀刻工艺包括第二阶段以移除聚合物层，并移除第一导电层的经修改部分。

Method of forming semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
形成半导体装置的方法
本公开涉及一种制造半导体装置的技术，特别涉及一种使用循环蚀刻工艺制造半导体装置的技术。
技术介绍
随着半导体工业为了追求更高的装置密度、更好的性能及更低的成本而向纳米技术工艺节点发展，来自制造及设计议题的挑战都导致了三维设计的发展，例如鳍式场效晶体管(fin-likefieldeffecttransistor,FinFET)及栅极全环(gateallaround,GAA)晶体管。FinFET包括延伸的半导体鳍片，延伸的半导体鳍片沿着基本垂直于基板的顶部表面的平面的方向自基板向上升高。FinFET的通道形成于鳍片中。栅极被提供于鳍片上方并部分地围绕鳍片。GAA晶体管包括一或多个纳米片通道区域，具有环绕纳米片的栅极。FinFET及GAA晶体管可减少短通道效应(shortchanneleffect)。
技术实现思路
本公开实施例提供一种形成半导体装置的方法，包括在第一主动区上形成第一栅极结构。第一栅极结构包括第一栅极介电层，以及第一栅极介电层上的第一导电层。使用工艺气体混合物来执行循环蚀刻工艺，以掘入第一栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体装置的方法，包括：/n在一第一主动区上形成一第一栅极结构，其中上述第一栅极结构包括一第一栅极介电层，以及上述第一栅极介电层上的一第一导电层；/n使用一工艺气体混合物来执行一循环蚀刻工艺，以掘入上述第一栅极结构并定义一凹槽，上述循环蚀刻工艺包括一第一阶段以在上述第一导电层上形成一聚合物层，并修改上述第一导电层的一部分以形成上述第一导电层的一经修改部分，且上述循环蚀刻工艺包括一第二阶段以移除上述聚合物层，并移除上述第一导电层的上述经修改部分；以及/n在上述凹槽中上述第一栅极结构上形成一第一覆盖层。/n

【技术特征摘要】
20181130 US 62/773,321;20191119 US 16/687,9991.一种形成半导体装置的方法，包括：
在一第一主动区上形成一第一栅极结构，其中上述第一栅极结构包括一第一栅极介电层，以及上述第一栅极介电层上的一第一导电层；
使用...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伊辰，林立德，林斌彦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71