【技术实现步骤摘要】
存储器结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种存储器结构及其制造方法。
技术介绍
由于非挥发性存储器(non-volatilememory)可进行多次数据的存入、读取与抹除等操作，且具有当电源供应中断时，所存储的数据不会消失、数据存取时间短以及低消耗功率等优点，所以已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种存储器。在目前提高元件集成度的趋势下，如何在不影响操作性能及可靠度的前提下微缩存储器尺寸，已成为业界的一致目标。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种新式存储器结构及其制造方法，除了可以在不影响操作性能及可靠度的前提下微缩存储器尺寸外,还可以简化制作工艺的复杂度。本专利技术提供一种存储器结构，其包括至少二浮置栅极、二硬掩模条、一抹除栅极以及二选择栅极。至少二浮置栅极配置于基底上。二硬掩模条分别配置于浮置栅极上方，并裸露出部分浮置栅极。浮置栅极的裸露部分彼此面对。抹除栅极配置于浮置栅极之间的基底上。二选择栅极配置于浮置栅极外侧的基底上。在本...
【技术保护点】
1.一种存储器结构，其特征在于，包括：/n至少两个浮置栅极，配置于所述基底上；/n两个硬掩模条，分别配置于所述浮置栅极上方，并裸露出部分所述浮置栅极，所述浮置栅极的裸露部分彼此面对；/n抹除栅极，配置于所述浮置栅极之间的所述基底上；以及/n两个选择栅极，配置于所述浮置栅极外侧的所述基底上。/n
【技术特征摘要】
20181130 TW 1071428551.一种存储器结构，其特征在于，包括：
至少两个浮置栅极，配置于所述基底上；
两个硬掩模条，分别配置于所述浮置栅极上方，并裸露出部分所述浮置栅极，所述浮置栅极的裸露部分彼此面对；
抹除栅极，配置于所述浮置栅极之间的所述基底上；以及
两个选择栅极，配置于所述浮置栅极外侧的所述基底上。
2.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述基底具有至少一第一主动区块、至少一第二主动区块以及第三主动区块，所述第一主动区块以及所述第二主动区块沿第一方向延伸，且所述第三主动区块位于所述第一主动区块与所述第二主动区块之间并沿第二方向延伸。
3.如权利要求2所述的存储器结构，其中所述浮置栅极的一者配置于所述第一主动区块的所述基底上，且所述浮置栅极的另一者配置于所述第二主动区块的所述基底上。
4.如权利要求1所述的存储器结构，还包括：
两个内侧间隙壁，配置于所述硬掩模条之间的所述浮置栅极上；以及
两个外侧间隙壁，配置于所述硬掩模条外侧的所述基底上。
5.如权利要求4所述的存储器结构，其中所述内侧间隙壁与所述外侧间隙壁的材料包括氧化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)复合结构。
6.如权利要求4所述的存储器结构，还包括两个绝缘层，配置于所述硬掩模条与所述浮置栅极之间以及所述内侧间隙壁与所述浮置栅极之间。
7.如权利要求1所述的存储器结构，还包括：
两个浮置栅介电层，配置于所述浮置栅极与所述基底之间；
抹除栅介电层，配置于所述抹除栅极与所述基底之间以及所述抹除栅极与所述浮置栅极的裸露部分之间；以及
两个选择栅介电层，配置于所述选择栅极与所述基底之间。
8.如权利要求1所述的存储器结构，还包括：
第一掺杂区，配置于所述抹除栅极下方的所述基底中；以及
两个第二掺杂区，配置于所述选择栅极外侧的所述基底中。
9.如权利要求8所述的存储器结构，其中所述第一掺杂区更延伸到相邻的所述浮置栅极下方的所述基底中。
10.如权利要求8所述的存储器结构，其中所述第二掺杂区更延伸到相邻的所述选择栅极下方的所述基底中。
11.如权利要求8所述的存储器结构，其中所述抹除栅极以及所述选择栅极的顶面高于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘振强，许正源，宋达，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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