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存储器结构及其制造方法技术
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文档序号:24463780
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本发明公开一种存储器结构及其制造方法,其中该存储器结构包括至少二浮置栅极、二硬掩模条、一抹除栅极以及二选择栅极。至少二浮置栅极配置于基底上。二硬掩模条分别配置于浮置栅极上方,并裸露出部分浮置栅极。浮置栅极的裸露部分彼此面对。抹除栅极配置于浮...
该专利属于力晶科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过力晶科技股份有限公司授权不得商用。
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