薄膜晶体管、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

技术编号:24366749 阅读:52 留言:0更新日期:2020-06-03 04:58
一种薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置。薄膜晶体管位于衬底基板上且包括位于衬底基板上的栅极、第一电极和第二电极;栅极包括第一主体部分和第一延伸部分;第一主体部分沿第一方向延伸;第一延伸部分沿第一方向延伸,与第一主体部分电连接,且与第一主体部分间隔开第一间隔;第一电极包括第一重叠端、第一补偿端和第一居间部分;第一重叠端在衬底基板上的正投影与第一主体部分在衬底基板上的正投影至少部分重叠;第一补偿端位于第一重叠端的远离第一主体部分的一侧,在衬底基板上的正投影的与第一延伸部分在衬底基板上的正投影至少部分重叠;第一居间部分连接第一重叠端和第一补偿端,在衬底基板上的正投影位于第一间隔在衬底基板上的正投影内。

Thin film transistor, array substrate and display device

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
本公开至少一实施例涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。
技术介绍
可以采用局域调光技术以提高显示对比度,例如液晶显示装置可以包括层叠的显示液晶面板与光控液晶面板,来自背光单元的光经由光控液晶面板进行调节后再进入显示液晶面板中,从而提高显示的对比度。显示液晶面板和光控液晶面板分别包括阵列基板,阵列基板包括驱动电路,驱动电路包括薄膜晶体管阵列。在光控液晶面板的驱动电路中,栅线和数据线可以为折线走线或直线走线;光控液晶面板包括光控阵列,光控阵列包括多个呈阵列分别的光控单元;每一列光控单元对应一条数据线,在该列光控单元中,薄膜晶体管可以均位于该条数据线的同一侧,或者,相邻行的光控单元中的薄膜晶体管分别位于该条数据线的不同侧。
技术实现思路
本公开至少一实施例提供一种薄膜晶体管,该薄膜晶体管设置在衬底基板上且包括位于所述衬底基板上的栅极、第一电极和第二电极;所述栅极包括:第一主体部分和第一延伸部分;第一主体部分沿第一方向延伸;第一延伸部分基本沿所述第一方向延伸,与所述第一主体部分电连接,且与所述第一主体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管,设置在衬底基板上且包括位于所述衬底基板上的栅极、第一电极和第二电极,其特征在于,/n所述栅极包括:/n第一主体部分,沿第一方向延伸;以及/n第一延伸部分,基本沿所述第一方向延伸,与所述第一主体部分电连接,且与所述第一主体部分间隔开第一间隔;/n所述第一电极包括:/n第一重叠端,在所述衬底基板上的正投影与所述第一主体部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;/n第一补偿端,位于所述第一重叠端的远离所述第一主体部分的一侧,在所述衬底基板上的正投影的与所述第一延伸部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;以及/n第一居间部分,连接所述第一重叠端和所述第一补偿端,在所述衬底基板上的...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管,设置在衬底基板上且包括位于所述衬底基板上的栅极、第一电极和第二电极,其特征在于,
所述栅极包括:
第一主体部分,沿第一方向延伸;以及
第一延伸部分,基本沿所述第一方向延伸,与所述第一主体部分电连接,且与所述第一主体部分间隔开第一间隔;
所述第一电极包括:
第一重叠端,在所述衬底基板上的正投影与所述第一主体部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;
第一补偿端,位于所述第一重叠端的远离所述第一主体部分的一侧,在所述衬底基板上的正投影的与所述第一延伸部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;以及
第一居间部分,连接所述第一重叠端和所述第一补偿端,在所述衬底基板上的正投影位于所述第一间隔在所述衬底基板上的正投影内。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,
所述第一居间部分包括沿所述第一方向延伸的条形部;
所述第一电极包括:
多个第一部分,与所述条形部连接,位于所述条形部的靠近所述第一主体部分的第一侧,且沿所述第一方向间隔排列;以及
多个第二部分,与所述条形部连接,位于所述条形部的靠近所述第一延伸部分的第二侧,且沿所述第一方向间隔排列,并且
所述第一重叠端包括所述多个第一部分的每个的至少部分,所述第一补偿端包括所述多个第二部分的每个的至少部分。


3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述多个第一部分与所述多个第二部分一一对应,所述多个第一部分和所述多个第二部分以所述条形部为对称轴呈轴对称。


4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管,其特征在于,
所述多个第一部分与所述第一方向垂直,且所述多个第二部分与所述第一方向垂直。


5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,
所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一主体部分在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;
所述第二电极包括沿所述第一方向排列且沿远离所述第一延伸部分的方向凹陷的多个第一凹陷部分,所述第一电极还包括与所述多个第一部分一一对应的多个第一突出部分,所述多个第一突出部分的每个和与其对应的所述第一部分连接,所述多个第一突出部分分别一一对应地延伸入所述多个第一凹陷部分中;并且
所述第一重叠端还包括所述多个第一突出部分。


6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述第一主体部分具有靠近所述第一延伸部的边缘,该边缘在所述衬底基板上的正投影与所述多个第一部分在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,所述多个第一部分的每个在所述第一方向上的宽度大于与其连接的所述第一突出部的在所述第一方向上的宽度。


7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述第一延伸部分的在与所述第一方向垂直的方向上的宽度大于0,并且小于或等于3μm;
第一延伸部分的在与所述第一方向垂直的方向上的宽度与第一主体部分的在与所述第一方向垂直的方向上的宽度的比为0.2~0.3。


8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述栅极还包括第一连接部分,所述第一连接部分连接所述第一主体部分和所述第一延伸部分,所述第一连接部分在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影均不重叠。


9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管,其特征在于,
所述第一延伸部分在所述第一方向上具有第一端和第二端,所述第一主体部分在所述第一方向上具有第一端和第二端;
所述第一连接部分连接所述第一延伸部分的第一端与所述第一主体部分的第一端;并且
所述第一延伸部分的第二端和所述第一主体部分的第二端位于所述第一连接部分的同一侧。


10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述第一方向与水平方向之间的夹角大于0度且小于90度。


11.一种阵列基板,包括根据权利要求1-10任一项所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述阵列基板包括:
设置在所述衬底基板上沿第二方向延伸的多条第一信号线和沿第三方向延伸的多条第二信号线,所述第二方向和所述第三方向相互交叉,所述多条第一信号线和所述多条第二信号线交叉限定出呈阵列排布的多个光控单元;
每个所述光控单元包括根据权利要求1-10任一项所述的薄膜晶体管,所述第一方向与所述第二方向和所述第三方向二者相交,所述薄膜晶体管的栅极与所述多条第一信号线中的一条电连接,所述薄膜晶体管的第一电极或第二电极与所述多条第二信号线中的一条电连接。


12.根据权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,
所述多个光控单元包括第一光控单元和第二光控单元;
所述第一光控单元所包括的薄膜晶体管中的所述第一方向与所述第二光控单元所包括的薄膜晶体管中的所述第一方向相交。


13.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:张云天芮洲江鹏杨海鹏戴珂张春旭吴忠厚田丽
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司合肥京东方显示技术有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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