一种Split Gate-IGBT结构及器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种Split Gate‑IGBT结构及器件，其中，Split Gate‑IGBT结构，包括Split Gate结构、Trench Gate结构；所述Split Gate结构之间设有一个或多个Trench Gate结构。本实用新型专利技术提供的Split Gate‑IGBT结构，通过在Split Gate结构中间设置一个或者多个Trench Gate结构，在拥有较快开关速度的同时，还可进一步提高器件元胞密度，降低饱和压降；同时方便通过控制Trench Gate的数量来优化IGBT的开关性能。本实用新型专利技术另外提供的器件，可广泛应用于工业加热、变频器、照明电路、新能源汽车等领域。

【技术实现步骤摘要】
一种SplitGate-IGBT结构及器件
本技术涉及半导体功率器件领域，特别涉及一种SplitGate-IGBT结构及器件。
技术介绍
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点。其基本功能可简单看作一个非通即断的开关。在交流电机、逆变器、照明电路、牵引传动等直流电压为600V及以上的变流系统中得到广泛应用。而目前IGBT普遍应用为沟槽栅极(TrenchGate)结构，它因为垂直结构的导电通道构成了紧凑的元胞分布，但由于沟槽栅极和衬底以及下面的漂流区之间的电容，器件的开关速度比较低。SplitGate(分裂栅)结构目前多被用于MOSFET(金氧半场效晶体管)，具有能使MOSFET具有较快的开关速度、较高的击穿电压和较低的导通电阻特点。将SplitGate(分裂栅)结构应用于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)也可使其拥有更快的开关速度。但是，SplitGate(分裂栅)结构为了降低输出电容，保证下层氧化层的可靠本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Split Gate-IGBT结构，其特征在于：包括Split Gate结构、Trench Gate结构；所述Split Gate结构之间设有一个或多个Trench Gate结构；/n所述Split Gate结构的第二沟槽深度d2大于所述Trench Gate结构的第一沟槽深度d1；/n所述Split Gate结构的第二沟槽底部由外至内设有第一氧化层和第一多晶硅；所述第一氧化层和第一多晶硅上的所述第二沟槽内和所述Trench Gate结构的第一沟槽内均设有栅氧化层；所述栅氧化层上设有第二多晶硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种SplitGate-IGBT结构，其特征在于：包括SplitGate结构、TrenchGate结构；所述SplitGate结构之间设有一个或多个TrenchGate结构；
所述SplitGate结构的第二沟槽深度d2大于所述TrenchGate结构的第一沟槽深度d1；
所述SplitGate结构的第二沟槽底部由外至内设有第一氧化层和第一多晶硅；所述第一氧化层和第一多晶硅上的所述第二沟槽内和所述TrenchGate结构的第一沟槽内均设有栅氧化层；所述栅氧化层上设有第二多晶硅层。


2.根据权利要求1所述的SplitGate-IGBT结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐守一，陈思凡，蔡铭进，
申请(专利权)人：厦门芯达茂微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35