新型SiCMOSFET器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体功率器件技术领域，本发明专利技术提供一种新型SiC MOSFET器件的制造方法，其包括下列步骤：提供一N+衬底，N+衬底具有相对的正面和背面；在N+衬底的正面生长N型漂移区；在N型漂移区上设置至少二个彼此独立的P型基区；在P型基区上设置N+源区；在P型基区上设置P+欧姆接触区，P+欧姆接触区连接N+源区；在二个P型基区之间设置超结N层。借此，能够在不增加制造工艺难度的基础上，有效的降低新型SiC MOSFET器件的比导通电阻值(Ron.sp)，进而大幅度缩小芯片面积，降低生产成本。降低生产成本。降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
新型SiC MOSFET器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体功率器件
，特别涉及一种SiC MOSFET器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]第三代半导体材料碳化硅(SiC)有着宽禁带、高热导率、高载流子饱和迁移率以及临界击穿电场高等优越性能，使其在高功率、高频率、高电压等领域有着独特优势及广泛前景。目前SiC MOSFET已在汽车电子、光伏及储能等方面取得了广泛地应用。
[0003]传统的SiC MOSFET在性能上存在一个较大的问题，就是其击穿电压与导通电阻之间存在相互制约的关系，不能够同时实现提高击穿电压和降低导通电阻。目前，传统的SiC MOSFET为突破硅限，会引入超结结构(Super Junction)，以有效降低导通电阻，使SiC MOSFET得到进一步的广泛应用。但随着研究的不断深入，SiC MOSFET的各种技术已经很成熟，硅基底功率器件的各项性能已十分接近极限。虽然将超结结构应用于SiC MOSFET能突破其击穿电压与导通电阻之间的制约关系，但是实现超结结构由于需形成交替的P柱区和N柱区来保持本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型SiC MOSFET器件的制造方法，其特征在于：所述新型SiC MOSFET器件的制造方法包括下列步骤：提供一N+衬底，所述N+衬底具有相对的正面和背面；在所述N+衬底的正面生长N型漂移区；在所述N型漂移区上设置至少二个彼此独立的P型基区；在所述P型基区上设置N+源区；在所述P型基区上设置P+欧姆接触区，所述P+欧姆接触区连接所述N+源区；在二个所述P型基区之间设置超结N层。2.根据权利要求1所述的新型SiC MOSFET器件的制造方法，其特征在于：在设置完所述超结N层之后还可以包括下列步骤：在所述超结N层、所述P型基区和所述N+源区上设置栅极；在所述栅极和所述P+欧姆接触区上设置源极；在所述N+衬底的背面设置漏极。3.根据权利要求1所述的新型SiC MOSFET器件的制造方法，其特征在于：所述超结N层是采用离子注入的方式所形成。4.根据权利要求3所述的新型SiC MOSFET器件的制造方法，其特征在于：注入的离子是氮离子。5.根据权利要求1所述的新型SiC MOSFET器件的制造方法，其特征在于：所述超结N层中的离子注入深度范围...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐守一，涂国华，蔡铭进，
申请(专利权)人：厦门芯达茂微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：