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本发明涉及半导体功率器件技术领域，本发明提供一种新型SiC MOSFET器件的制造方法，其包括下列步骤：提供一N+衬底，N+衬底具有相对的正面和背面；在N+衬底的正面生长N型漂移区；在N型漂移区上设置至少二个彼此独立的P型基区；在P型基区上...
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