【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电力用半导体装置
[0001]本专利技术涉及电力用半导体装置，特别地，涉及具有硅基板的电力用半导体装置。
技术介绍
[0002]作为电力用半导体装置的一种，已知将IGBT(绝缘栅型双极晶体管：Insulated Gate Bipolar Transistor)和续流二极管集成化于1个芯片的RC
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IGBT(反向导通IGBT：Reverse Conducting IGBT)。RC
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IGBT例如用作逆变器用的开关元件。
[0003]根据日本特开2013
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48230号公报(专利文献1)，半导体装置具有在硅基板的下侧表面形成的金属制的集电极/阴极电极、和在硅基板的上侧表面形成的金属制的发射极/阳极电极。集电极/阴极电极与硅基板欧姆接合。发射极/阳极电极具有与硅基板欧姆接合的部分和与硅基板肖特基接合的部分。
[0004]专利文献1：日本特开2013
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48230号公报
技术实现思路
[0005]如果在硅基板接合纯Al层，则由于来...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电力用半导体装置，其具有硅基板，所述硅基板具有第1面和第2面，该第2面与所述第1面相反且具有第1部分及第2部分，所述硅基板包含：呈第1导电型的第1半导体区域；呈与所述第1导电型不同的第2导电型的第2半导体区域；呈所述第1导电型的第3半导体区域，其通过所述第2半导体区域而与所述第1半导体区域隔开；以及呈所述第2导电型的第4半导体区域，其通过所述第3半导体区域而与所述第2半导体区域隔开，所述电力用半导体装置还具有：栅极绝缘膜，其在所述第1半导体区域与所述第3半导体区域之间延伸且面向所述第2半导体区域；栅极电极，其隔着所述栅极绝缘膜而面向所述第2半导体区域；第1电极，其设置于所述硅基板的所述第1面之上，与所述第3半导体区域及所述第4半导体区域接触；阻挡金属层，其设置于所述硅基板的所述第2面的所述第1部分之上；以及第2电极，其设置于所述硅基板的所述第2面之上，通过所述阻挡金属层而与所述硅基板的所述第2面的所述第1部分隔开，所述第2电极包含：Al
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Si层，其与所述硅基板的所述第2面的所述第2部分接触；以及Al层，其通过所述Al
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Si层而与所述硅基板的所述第2面的所述第2部分隔开。2.根据权利要求1所述的电力用半导体装置，其中，所述第2电极至少在所述硅基板的所述第2面的所述第2部分之上具有所述Al
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Si层与所述Al层的层叠构造。3.根据权利要求1或2所述的电力用半导体装置，其中，还具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜配置于所述硅基板的所述第2面的所述第2部分之上，具有开口部，所述Al
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Si层具有接触部，该接触部在面内方向上配置于所述层间绝缘膜的所述开口部内，与所述硅基板的所述第2面的所述第2部分直接接触。4.根据权利要求3所述的电力用半导体装置，其中，所述Al层的至少一部分直接配置于所述层间绝缘膜之上。5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：深泽俊树，工藤智人，春口秀树，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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