晶体管元件制造技术

本发明专利技术提供一种晶体管元件，其包括氮化镓晶体管、偏压元件及压控电流元件。氮化镓晶体管具有漏极、源极及栅极。漏极耦接至晶体管元件的第一端。偏压元件串联于氮化镓晶体管的源极与晶体管元件的第二端间。压控电流元件耦接至晶体管元件的控制端。压控电流元件依据晶体管元件的控制端的电压以提供偏压电流至偏压元件，以控制氮化镓晶体管为导通或截止。以控制氮化镓晶体管为导通或截止。以控制氮化镓晶体管为导通或截止。

【技术实现步骤摘要】
晶体管元件


[0001]本专利技术涉及一种元件，且特别是有关于一种晶体管元件。

技术介绍

[0002]氮化镓(gallium nitride,GaN)晶体管由于元件尺寸、导通电阻和工作频率等物理特性的优点而被广泛的使用。但另一方面，氮化镓晶体管同时又具有较低的阀值电压，往往造成电路中较大的功率消耗。
[0003]现有技术中提出了一些增强型(enhancement mode,e
‑
mode)的氮化镓晶体管，试图降低氮化镓晶体管的功耗。但这些增强型的氮化镓晶体管往往需要特殊工艺来改变氮化镓晶体管的结构，又或者是需要将晶体管与氮化镓晶体管串接(cascode)，因此往往会导致较高的制造成本，或是氮化镓晶体管的电流被串接的晶体管所限制，因而影响氮化镓晶体管的电路表现。

技术实现思路

[0004]本专利技术是针对一种晶体管元件，其可在改善氮化镓晶体管的制造成本时，又不影响氮化镓晶体管本身的电路表现。
[0005]根据本专利技术的实施例，晶体管元件包括氮化镓晶体管、偏压元件及压控电流元件。氮化镓晶体管具有漏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管元件，具有第一端、第二端及控制端，其特征在于，所述晶体管元件包括：氮化镓晶体管，具有漏极、源极及栅极，所述氮化镓晶体管的漏极耦接至所述晶体管元件的第一端；偏压元件，串联于所述氮化镓晶体管的源极与所述晶体管元件的第二端间；以及压控电流元件，耦接至所述晶体管元件的控制端，所述压控电流元件用以依据所述晶体管元件的控制端的电压以提供偏压电流至所述偏压元件，以控制所述氮化镓晶体管为导通或截止。2.根据权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于，所述压控电流元件提供所述偏压电流至所述偏压元件，用以降低所述氮化镓晶体管的栅极与源极之间的电压差值，进而控制所述氮化镓晶体管为截止。3.根据权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于，所述氮化镓晶体管为耗尽型氮化镓晶体管。4.根据权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于，当所述氮化镓晶体管的栅极与源极之间的电压差值小于等于阀值电压时，所述氮化镓晶体管为截止。5.根据权利要求1所述的晶体管元件，其特征在于，所述压控电流元件包括偏压晶体管，其具有第一端、第二端及控制端，所述偏压晶体管的第一端耦接所述氮化镓晶体管的漏极，所述偏压晶体管的第二端直接耦接所述氮化镓晶体管的源极，所述偏压晶体管的控制端耦接所述晶体管元件的控制端，所述氮化镓晶体管的控制端耦接所述晶体管元件的第二端。6.根据权利要求5所述的晶体管元件，其特征在于，当所述偏压晶体管为p型金氧半场效应晶体管，且所述p型金氧半场效应晶体管的源极、漏极及栅极分别为所述偏压晶体管的第一端、第二端及控制端时，所述晶体管元件操作为n型晶体管，其中当所述偏压晶体管为n型金氧半场效应晶体管，且所述n型金氧半场效应晶体管的漏极、源极及...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏安，吴祖仪，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：