一种堆叠封装的功率MOSFET器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种堆叠封装的功率MOSFET器件，包括P型衬底(1)，其特征在于：在P型衬底(1)上依次设置有P型外延层(2)、N型漂移区(3)以及N型漏区(4)，P型外延层(2)上设有均与N型漂移区(3)和N型漏区(4)相接触的栅极结构；在栅极结构与P型外延层(2)之间分别设有相互接触的N型源区(5)和金属沉片(7)；N型漏区(4)上设有与栅极结构相接触的漏极金属电极(10)，P型衬底(1)的下端设有源极金属电极(11)。本实用新型专利技术不仅结构简单，还能使源极电极可以从器件底部引出，因此为特定应用时器件的堆叠设置提供了可能性，能显著提高封装效率，减小芯片面积，适合推广使用。适合推广使用。适合推广使用。

【技术实现步骤摘要】
一种堆叠封装的功率MOSFET器件


[0001]本技术涉及一种功率MOSFET器件，尤其涉及一种堆叠封装的功率MOSFET器件。

技术介绍

[0002]随着功率半导体行业的不断发展，各种功率MOSFET器件得到广泛应用。在功率MOSFET器件的设计中，分离栅MOSFET(Split Gate Trench MOSFET，SGT
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MOSFET)相比于传统功率MOSFET器件，它的开关特性更好，导通损耗更低，因此得到广泛的应用，但因为其结构上源漏电极位置的限制，导致其在特定应用时不能实现多个器件堆叠封装。如何在不明显降低原有结构电学性能的前提下，改进器件的结构使之能够实现多器件的堆叠封装成为了一大问题。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的不足之处，本技术的目的在于提供一种堆叠封装的功率MOSFET器件，使源极电极可以从器件底部引出，因此为特定应用时器件的堆叠设置提供了可能性，能显著提高封装效率，减小芯片面积。
[0004]本技术的目的通过下述技术方案实现：
[0005]一种堆叠封装的功率MO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种堆叠封装的功率MOSFET器件，包括P型衬底(1)，其特征在于：在P型衬底(1)上依次设置有P型外延层(2)、N型漂移区(3)以及N型漏区(4)，P型外延层(2)上没有均与P型外延层(2)、N型漂移区(3)以及N型漏区(4)相接触的栅极结构；在栅极结构与P型外延层(2)之间分别没有相互接触的N型源区(5)和金属沉片(7)；N型漏区(4)上设有与栅极结构相接触的漏极金属电极(10)，P型衬底(1)的下端设有源极金属电极(11)。2.按照权利要求1所述的堆叠封装的功率MOSFET器件，其特征在于：栅极结构包括设置在P型外延层(2)左侧顶部并分别与N型漂移区(3)的左侧面、N型漏区(4)的左侧面和上表面、以及漏极金属电极(10)的左侧面相接触的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泽宏，王彤阳，杨洋，吴峻翔，
申请(专利权)人：成都鼎芯微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：