一种SiC Trench MOSFET器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件技术领域，提供一种SiC Trench MOSFET器件及其制备方法。SiC Trench MOSFET器件包括衬底、漂移区、基区、源区和栅极。衬底具有相对的第一表面和第二表面；漂移区形成于第一表面上，漂移区上具有一沟槽，沟槽具有一容腔；基区形成于漂移区上且位于沟槽的外侧；源区形成于基区的上表面的局部区域内且位于沟槽的外侧；栅极设置于容腔内且与槽壁之间具有栅氧化层，栅极通过栅氧化层分别与漂移区、基区和源区相区隔；其中，漂移区的内部设置有至少一个离子区，离子区包覆沟槽位于漂移区的外侧。采用这种SiC Trench MOSFET器件能够减轻沟槽底部的电场集中，从而提升器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，提供一种sic trench mosfet器件及其制备方法。

技术介绍

1、第三代半导体材料sic（碳化硅）是由碳元素和硅元素稳定结合而成的晶体，具有宽禁带、高热导率、高载流子饱和迁移率等优越性能，在高功率、高频率、高电压等领域有着独特优势及广泛前景。sic材料本身具有的这些优势使得sic功率器件能够在目前大部分的功率器件应用范围内展现出足以取代si基功率器件的潜力。

2、目前，sic功率器件已经在650v～1200v电压等级的区间占有了一部分市场。其中sic trench mosfet器件凭借导通电阻小、元胞密度大等优势成为sic功率器件的研究热点之一。但由于沟槽的引入导致在栅氧化层拐角处容易集中极大电场，使栅氧化层被击穿，存在严重的可靠性问题。因此本领域亟需一种新的sic trench mosfet器件及其制备方法，以有效地保护沟槽底部的栅氧化层，提高器件的可靠性。

技术实现思路

1、为解决上述现有技术中栅氧化层拐角处容易集中电场造成栅氧化层被击穿的不足，本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC Trench MOSFET器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的SiC Trench MOSFET器件，其特征在于：所述SiC TrenchMOSFET器件还包括：

3.根据权利要求2所述的SiC Trench MOSFET器件，其特征在于：所述SiC TrenchMOSFET器件还包括电介质层（600），形成于所述基区（300）和所述源极（700）之间，所述电介质层（600）的上表面的部分区域内形成有接触区（610），所述源极（700）通过所述接触区（610）与所述源区（400）电性连接。

4.根据权利要求1所述的SiC ...

【技术特征摘要】

1.一种sic trench mosfet器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的sic trench mosfet器件，其特征在于：所述sic trenchmosfet器件还包括：

3.根据权利要求2所述的sic trench mosfet器件，其特征在于：所述sic trenchmosfet器件还包括电介质层（600），形成于所述基区（300）和所述源极（700）之间，所述电介质层（600）的上表面的部分区域内形成有接触区（610），所述源极（700）通过所述接触区（610）与所述源区（400）电性连接。

4.根据权利要求1所述的sic trench mosfet器件，其特征在于：所述离子区（220）至少包括第一离子区（221）和第二离子区（222），所述第一离子区（221）位于所述沟槽（210）的下方并包覆所述沟槽（210）的底部区域，所述第二离子区（222）位于所述第一离子区（221）的上方且包覆所述沟槽（210）的外侧；所述第二离子区（222）的上表面与所述漂移区（200）的上表面平齐。

5.根据权利要求4所述的sic trench mosfet器件，其特征在于：所述第一离子区（221）具有第五导电类型，所述第二离子区（222）具有第六导电类型。

6.根据权利要求5所述的sic...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐守一，蔡铭进，李贤杰，
申请(专利权)人：厦门芯达茂微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：