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本发明涉及半导体器件技术领域，提供一种SiC Trench MOSFET器件及其制备方法。SiC Trench MOSFET器件包括衬底、漂移区、基区、源区和栅极。衬底具有相对的第一表面和第二表面；漂移区形成于第一表面上，漂移区上具有一沟槽...
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