晶圆制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶圆，所述晶圆包括：最底层的N型衬底、覆盖在N型衬底上表面的N型外延层、覆盖在N型外延层上表面四周的氧化层、覆盖在N型外延层上表面氧化层内侧以及氧化层上表面的金属铝层、以及覆盖在金属铝层上表面且与所述金属铝层大小一致的焊接层。

wafer

【技术实现步骤摘要】
晶圆
本技术涉及电子器件
，尤其涉及一种晶圆。
技术介绍
肖特基二极管因其较低的正向压降，较快的开关速度广泛应用于通信电源、太阳能电池保护、变频器等领域；随着电源模块的小型化需求，适用于贴片封装的银面肖特基二极管产品得到越来越广的应用。常规的银面肖特基二极管正面结构从下至上一般采用Ti(钛)-AL(铝)-Ti(钛)-Ni(镍)-Ag(银)的三层结构组成，其中最上层TiNiAg三层金属是一层结构，其实现步骤主要是：对肖特基二极管表面进行清洗，真空溅射肖特基接触金属Ti，溅射第二层金属AL，铝层主要是作为缓冲层，铝层光刻、刻蚀完成后再蒸发TiNiAg层，最后再进行一次光刻、刻蚀，形成电极窗口。上述工艺及结构形成的肖特基二极管的正面Ag层和Ni层与焊锡料PbSn都能很好的熔合，焊接后的电极与金属焊接面终止于底层金属AL上。由于金属铝与焊锡料不能熔合，肖特基二极管的铝面与封装电极直接相连后容易造成电极接触不好，容易热疲劳，因此进行小型化贴片封装时肖特基二极管表面需要覆盖一层可焊接的Ag金属层。肖特基二极管表面进行金属铝溅射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆，其特征在于，包括：最底层的N型衬底、覆盖在N型衬底上表面的N型外延层、覆盖在N型外延层上表面四周的氧化层、覆盖在N型外延层上表面氧化层内侧以及氧化层上表面的金属铝层、以及覆盖在金属铝层上表面且与所述金属铝层大小一致的焊接层。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆，其特征在于，包括：最底层的N型衬底、覆盖在N型衬底上表面的N型外延层、覆盖在N型外延层上表面四周的氧化层、覆盖在N型外延层上表面氧化层内侧以及氧化层上表面的金属铝层、以及覆盖在金属铝层上表面且与所述金属铝层大小一致的焊接层。

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：单亚东，谢刚，胡丹，李武华，
申请(专利权)人：广微集成技术深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44