具有肖特基金属结的半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种具有肖特基金属结的半导体装置，包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有多个沟槽，每一沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，该多晶硅上表面形成有第一金属层，所述外延层与多晶硅相邻的上表面处形成有第二金属层，且该外延层上表面还形成有所述第一金属层，所述第二金属层和外延层形成的肖特基势垒与第一金属层和外延层形成的肖特基势垒大小不同。本实用新型专利技术采用两种不同的势垒金属作为肖特基接触，在器件反向阻挡情况下，可以利用高势垒的肖特基金属对低势垒肖特基金属的电场屏蔽作用，降低肖特基势垒电流，而在器件正向导通时，器件因低势垒肖特基金属仍具有较低的导通压降。

Semiconductor device with Schottky metal junction

【技术实现步骤摘要】
具有肖特基金属结的半导体装置
本技术涉及半导体器件
，更具体地涉及一种具有肖特基金属结的半导体装置。
技术介绍
众所周知，以技术人肖特基博士(Schottky)命名的肖特基二极管，是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体势垒原理制作的。肖特基器件的特性主要受肖特基接触势垒的影响，例如其反向击穿电压、反向电流和正向导通压降等均与选用肖特基金属的势垒大小有关，目前常规TMBS(TrenchMOSBarrierSchottkyDiode，沟槽MOS型肖特基势垒二极管)器件采用钛金属势垒结构，其接触接触电势约0.69V，这种势垒对于常规100V器件来说，漏电在10微安左右，器件导通压降0.6V左右，在这种系统应用中器件具有较好的能效。但对于高压150-300V器件来说，电源系统中需要器件漏电流尽可能低，常温下漏电需要小于1微安，对于钛肖特基金属来说，漏电小于1微安很难达到。因钛金属具有较低的肖特基势垒，铂具有较高的肖特基势垒，少量铂金属会提升肖特基金属的接触势垒，为了改善肖特基二极管的漏电流，提出在钛金属中掺杂铂，以获得较低的漏电流，但是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有肖特基金属结的半导体装置，其特征在于：所述半导体装置包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有多个沟槽，每一沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，该多晶硅上表面形成有第一金属层，所述外延层与多晶硅相邻的上表面处形成有第二金属层，且该外延层上表面还形成有所述第一金属层，所述第二金属层和外延层形成的肖特基势垒与第一金属层和外延层形成的肖特基势垒大小不同。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有肖特基金属结的半导体装置，其特征在于：所述半导体装置包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有多个沟槽，每一沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，该多晶硅上表面形成有第一金属层，所述外延层与多晶硅相邻的上表面处形成有第二金属层，且该外延层上表面还形成有所述第一金属层，所述第二金属层和外延层形成的肖特基势垒与第一金属层和外延层形成的肖特基势垒大小不同。

【专利技术属性】
技术研发人员：单亚东，谢刚，胡丹，李武华，
申请(专利权)人：广微集成技术深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44