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本实用新型公开了一种具有肖特基金属结的半导体装置，包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有多个沟槽，每一沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，该多晶硅上表面形成有第一金属层，所述外延层与多晶硅相邻的上表面处形...
该专利属于广微集成技术(深圳)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广微集成技术(深圳)有限公司授权不得商用。

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