温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种形成半导体装置的方法，包括在第一主动区上形成第一栅极结构。第一栅极结构包括第一导电层。使用工艺气体混合物来执行蚀刻工艺，以掘入第一栅极结构并定义凹槽。蚀刻工艺包括第一阶段以在第一导电层上形成聚合物层，并修改第一导电层的一部分以形成第一导...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。