半导体制造方法及工艺腔室技术

一种半导体制造方法及工艺腔室。在一实施例中，一种半导体制造方法，包括在工艺腔室内接收在金属层上方具有光刻胶遮罩的晶圆，其中工艺腔室连接至气体来源。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室内根据光刻胶遮罩而施加配置以蚀刻金属层的蚀刻剂。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室中施加来自气体来源的气体以进行等离子体灰化。

Semiconductor manufacturing method and process chamber

【技术实现步骤摘要】
半导体制造方法及工艺腔室
本公开实施例涉及一种半导体制造方法及工艺腔室，特别涉及一种原位金属蚀刻以及等离子体灰化的方法及工艺腔室。
技术介绍
晶圆(例如，半导体工件、半导体装置或半导体材料)的典型工艺可利用分离的腔室进行蚀刻以及等离子体灰化。蚀刻可使用于在制造期间从晶圆表面去除材料。例如，在蚀刻中，可以通过抵抗蚀刻的遮罩材料保护晶圆的一部分免于蚀刻。然后，可通过将蚀刻剂施加到晶圆的暴露部分以蚀刻晶圆。蚀刻通常在蚀刻专用的蚀刻腔室中进行。等离子体灰化可以是从蚀刻的晶圆上去除光刻胶的工艺。使用等离子体来源，产生反应性物质。反应性物质与光刻胶结合形成灰化物，可用真空泵将其去除。等离子体灰化通常在与蚀刻腔室分离的灰化腔室(例如，光刻胶剥离腔室以及/或冷却腔室)中进行。这种工艺技术需要大量的开销，但是仍然不能产生令人满意的结果。因此，现有的工艺技术并非完全令人满意的。
技术实现思路
根据本公开的一些实施例，提供一种半导体制造的方法，包括在工艺腔室内接收晶圆，此晶圆在金属层上方具有光刻胶遮罩，其中工艺腔室连接至气体来源。所述半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制造方法，包括：/n在一工艺腔室内接收一晶圆，该晶圆在一金属层上方具有一光刻胶遮罩，其中该工艺腔室连接至一气体来源；/n在该工艺腔室内根据该光刻胶遮罩而施加配置以蚀刻该金属层的一蚀刻剂；以及/n在该工艺腔室中施加来自该气体来源的气体以进行等离子体灰化。/n

【技术特征摘要】
20181130 US 62/773,654;20191114 US 16/684,4381.一种半导体制造方法，包括：
在一工艺腔室内接收一晶圆，该晶圆在一金属层上方具有一光刻胶遮罩，其中该工艺腔室连接至一气体来源；
在该工艺腔室内根据该光刻胶遮罩而施加配置以蚀刻该金属层的一蚀刻剂；以及
在该工艺腔室中施加来自该气体来源的气体以进行等离子体灰化。


2.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中该气体具有下列气体中的至少一种：纯氧气、纯氮气、以及氮气与氧气的一混合物。


3.如权利要求2所述的半导体制造方法，其中氮气与氧气的该混合物包括0％至10％的氧气。


4.如权利要求1所述的半导体制造方法，还包括：
施加超过1600瓦的一来源功率以进行该等离子体灰化，
其中该工艺腔室包括一壁，以及一线圈面对该壁的一第一表面，并且该金属层面对相对于该第一表面的该壁的一第二表面，其中该来源功率被施加到至少一个线圈。


5.如权利要求1所述的半导体制造方法，还包括：
施加大约0瓦的一偏压功率以进行该等离子体灰化，
其中该晶圆接触一静电吸座，并且该偏压功率被施加到该静电吸...

【专利技术属性】
技术研发人员：王兴翔，林钰翔，彭杏威，邱碧云，蔡妙欣，陈韦达，陈青宏，黄正义，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71