SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法。该SiC化学气相沉积装置具有在内部构成沉积空间的炉体和位于上述沉积空间的下部且在载置面上载置SiC晶片的载置台，上述炉体在与上述载置台大致正交的上下方向上被分离为多个部件，上述多个部件具有第一部分和第二部分，上述第一部分具有向外周方向突出的突出部，上述第二部分具有供上述突出部钩挂的钩部，上述第一部分与上述第二部分通过上述钩部钩挂于上述突出部而连结。

SiC CVD device and manufacturing method of SiC epitaxial wafers

【技术实现步骤摘要】
SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法
本专利技术涉及SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法。本申请基于2018年12月3日申请的日本专利申请第2018-226466号要求优先权，并将其内容引用于此。
技术介绍
与硅(Si)相比，碳化硅(SiC)具有绝缘击穿电场大1个数量级、带隙大3倍、热导率高3倍左右等特性。SiC由于具有这些特性，可期待应用于功率器件、高频器件、高温动作器件等。因此，近年来，SiC外延晶片已经用于上述SiC器件。SiC外延晶片是通过在SiC基板(SiC晶片、晶片)上使成为SiC半导体器件有源区的SiC外延膜外延生长而制造的。SiC晶片是通过由利用升华法等制成的SiC的块状单晶进行加工而得到的，SiC外延膜是利用化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition：CVD)装置而形成的。基于升华法得到的SiC的块状单晶是使用坩埚而制成的。原料粉末配置于被坩埚覆盖的区域的下部，晶种配置于高处。通过从坩埚的外周加热原料粉末，升华的原料在晶种表面再结晶，得到SiC块状单晶。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC化学气相沉积装置，具备：/n炉体，在内部构成沉积空间；/n载置台，位于所述沉积空间的下部，在载置面上载置SiC晶片，/n所述炉体在与所述载置台大致正交的上下方向上被分离为多个部件，/n所述多个部件具有第一部分和第二部分，/n所述第一部分具有向外周方向突出的突出部，/n所述第二部分具有供所述突出部钩挂的钩部，/n所述第一部分与所述第二部分通过所述钩部钩挂于所述突出部而连结。/n

【技术特征摘要】
20181203 JP 2018-2264661.一种SiC化学气相沉积装置，具备：
炉体，在内部构成沉积空间；
载置台，位于所述沉积空间的下部，在载置面上载置SiC晶片，
所述炉体在与所述载置台大致正交的上下方向上被分离为多个部件，
所述多个部件具有第一部分和第二部分，
所述第一部分具有向外周方向突出的突出部，
所述第二部分具有供所述突出部钩挂的钩部，
所述第一部分与所述第二部分通过所述钩部钩挂于所述突出部而连结。


2.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，其中，
所述炉体被分离为炉体上部和炉体下部，
所述第一部分为所述炉体下部，
所述第二部分为所述炉体上部。


3.根据权利要求1所述的SiC化学气相沉积装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅田喜一，渥美广范，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP