分配溶剂的方法技术

本公开实施例涉及一种分配溶剂的方法。公开一种具有动态控制的多次喷洒光刻胶减量消耗工艺，以改善最终产出率且进一步地减少光刻胶成本。在一实施例中，一种分配溶剂的方法包括：在第一时段以第一速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂的第一层；在第二时段以第二速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第一层转换成溶剂的第二层；在第三时段以第三速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第二层转换成溶剂的第三层；在第四时段以第四速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第三层转换成溶剂的第四层；以及在第五时段以第五速度旋转的同时，在溶剂的第四层上分配光刻胶的第一层。

Method of solvent distribution

【技术实现步骤摘要】
分配溶剂的方法
本公开实施例涉及一种分配溶剂的方法，特别涉及一种多次分配光刻胶减量消耗溶剂的方法。
技术介绍
在半导体制造期间，进行各种光刻(photolithographic)工艺以施加层至半导体晶圆，或在半导体晶圆中进行植入。感光(photosensitive)光刻胶(photoresist，光阻剂)被施加至晶圆，且使用光罩(photomask)图案化(patterned)感光光刻胶以形成硬质遮罩(mask)，用于后续的沉积或蚀刻工艺。光刻胶的成本是半导体制造中大量的材料成本。光刻胶减量消耗(ReducingResistConsumption，RRC)工艺在半导体产业中被广泛地使用以降低每晶圆的光刻胶成本。然而，此工艺经常伴随着各种涂层缺陷(例如：微气泡)，使改善最终产出率和进一步地减少每晶圆的光刻胶成本变得困难。本公开利用具有动态控制的多次喷洒光刻胶减量消耗工艺，以改善最终产出率且进一步地减少光刻胶成本。
技术实现思路
本公开实施例提供一种分配溶剂的方法，包括：在第一时段以第一速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种分配溶剂的方法，包括：/n在一第一时段以一第一速度旋转的同时，在一半导体基板上分配一溶剂的一第一层；/n在一第二时段以一第二速度旋转的同时，在该半导体基板上分配该溶剂，以便将该第一层转换成该溶剂的一第二层；/n在一第三时段以一第三速度旋转的同时，在该半导体基板上分配该溶剂，以便将该第二层转换成该溶剂的一第三层；/n在一第四时段以一第四速度旋转的同时，在该半导体基板上分配该溶剂，以便将该第三层转换成该溶剂的一第四层；以及/n在一第五时段以一第五速度旋转的同时，在该溶剂的该第四层上分配一光刻胶的一第一层。/n

【技术特征摘要】
20181130 US 62/773,446;20191114 US 16/684,4571.一种分配溶剂的方法，包括：
在一第一时段以一第一速度旋转的同时，在一半导体基板上分配一溶剂的一第一层；
在一第二时段以一第二速度旋转的同时，在该半导体基板上分配该溶剂，以便将该第一层转换成该溶剂的一第二层；
在一第三时段以一第三速度旋转的同时，在该半导体基板上分配该溶剂，以便将该第二层转换成该溶剂的一第三层；
在一第四时段以一第四速度旋转的同时，在该半导体基板上分配该溶剂，以便将该第三层转换成该溶剂的一第四层；以及
在一第五时段以一第五速度旋转的同时，在该溶剂的该第四层上分配一光刻胶的一第一层。


2.如权利要求1所述的分配溶剂的方法，其中该第三速度大于该第一速度，其中该第一速度大于该第二速度，且其中该第二速度大于该第四速度。


3.如权利要求1所述的分配溶剂的方法，其中分配该溶剂是以60至90每分钟毫升的流率进行。


4.一种分配溶剂的方法，包括：
在一第一时段以一第一速度旋转的同时，在一半导体基板上分配一溶剂的一第一层；
在一第二时段以一第二速度旋转的同时，在该半导体基板上分配该溶剂，以便将该第一层转换成该溶剂的一第二层；
在旋转的同时，在该半导体基板上分配该溶剂，以便将该第二层转换成该溶剂的一第三层；
在一第三时段以一第三速度旋转的同时，在该半导体基板上分配该溶剂，以便将该第三层转换成该溶剂的一第四层；
在一第四时段以一第四速度旋转的同时，在该半导体基板上分配该溶剂，以便将该第四层转换成该溶剂的一第五层；以及
在一第五时段以一第五速度旋转的同时，在该溶剂的该第五层上分配一光刻胶的一第一层。


5.如权利要求4所述的分配溶剂的方法，其中该第三速度大于该第一速度，其中该第一速...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄明轩，朱家宏，卢伯胜，黄正义，郭守文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71