用于测量晶片的传感器站以及方法技术

本发明专利技术涉及一种用于测量晶片的传感器站，包括用于测量晶片的至少一个特性的至少一个传感器设备以及输送装置的至少一个部段。输送装置限定输送方向，运动的晶片沿着输送装置确定对于运动的晶片保持畅通的空间。传感器设备在保持畅通的空间的下侧上和/或上侧上产生至少一个测量点并且传感器设备由主支撑件承载。传感器站具有校准设备，校准设备包括至少一个臂以及用于使臂运动的驱动系统。在臂上设置有基准件，臂可运动地支承，使得基准件能够占据静止位置和测量位置。基准件在静止位置中设置在传感器设备的作用范围之外，并且在测量位置中设置在传感器设备的作用范围之内。

Sensor station and method for wafer measurement

【技术实现步骤摘要】
用于测量晶片的传感器站以及方法
本专利技术涉及一种用于测量晶片的传感器站以及方法，包括用于测量晶片的至少一个特性的至少一个传感器设备以及输送装置的至少一个部段，输送装置限定输送方向，运动的晶片沿着输送装置确定一个对于运动的晶片保持畅通的空间，传感器设备在保持畅通的空间的下侧上和/或上侧上产生至少一个测量点。
技术介绍
这种传感器站从WO2015/199930A1中已知。已知的传感器站包括三个传感器设备，所述传感器设备包含各一个近红外超辐射发光二极管，所述近红外超辐射发光二极管用于晶片上的三道厚度测量。所述晶片沿着输送方向以具有两个单带的连续带的形式运动并且因此确定一个保持畅通的空间。传感器设备例如设置在要保持畅通的空间上方并且在要保持畅通的空间上侧分别产生一个测量点。另一种这样传感器站从KR1020160021979A中已知。呈具有两个单带的连续带形式的输送装置将晶片输送穿过所述传感器站，运动的晶片确定一个要保持畅通的空间。传感器站包括三个传感器设备，所述传感器设备分别具有一对传感器。传感器构成为电容式厚度传感器。每个传感器设备的第一传本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于测量晶片(1)的传感器站，所述传感器站包括用于测量晶片(1)的至少一个特性的至少一个传感器设备(2)以及输送装置(3)的至少一个部段，所述输送装置(3)限定输送方向，运动的晶片(1)沿着输送装置确定一个对于运动的晶片(1)要保持畅通的空间(4)，所述传感器设备(2)在所述保持畅通的空间(4)的下侧上和/或上侧上产生至少一个测量点，所述传感器设备(2)由主支撑件(13)承载，/n所述传感器站具有校准设备(5)，所述校准设备(5)包括至少一个臂(6)以及用于使臂(6)运动的驱动系统(7)，在所述臂(6)上设置有基准件(8)，所述臂(6)可运动地支承，使得基准件(8)能够占据静止位置和测量位...

【技术特征摘要】
20181130 DE 102018130595.81.用于测量晶片(1)的传感器站，所述传感器站包括用于测量晶片(1)的至少一个特性的至少一个传感器设备(2)以及输送装置(3)的至少一个部段，所述输送装置(3)限定输送方向，运动的晶片(1)沿着输送装置确定一个对于运动的晶片(1)要保持畅通的空间(4)，所述传感器设备(2)在所述保持畅通的空间(4)的下侧上和/或上侧上产生至少一个测量点，所述传感器设备(2)由主支撑件(13)承载，
所述传感器站具有校准设备(5)，所述校准设备(5)包括至少一个臂(6)以及用于使臂(6)运动的驱动系统(7)，在所述臂(6)上设置有基准件(8)，所述臂(6)可运动地支承，使得基准件(8)能够占据静止位置和测量位置，所述基准件(8)在静止位置中设置在传感器设备(2)的作用范围之外并且在测量位置中设置在传感器设备的作用范围之内。


2.根据权利要求1所述的传感器站，其中，所述基准件(8)在所述测量位置中至少部分地位于所述要保持畅通的空间(4)内。


3.根据权利要求1或2所述的传感器站，其中，所述校准设备(5)包括至少一个线性引导件(9)，所述线性引导件(9)确定所述臂(6)在测量位置和静止位置之间的线性运动部段。


4.根据权利要求1至3之一所述的传感器站，其中，所述校准设备(5)具有用于限定所述测量位置的止挡件(10、11)。


5.根据权利要求1至4之一所述的传...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·施耐德，
申请(专利权)人：亨内克系统有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE