【技术实现步骤摘要】
一种大批量制备高质量氮化铝模板的加热装置
本技术涉及半导体领域，具体是一种大批量制备高质量氮化铝模板的加热装置。
技术介绍
传统硅基等半导体材料已经无法满足当前电子器件的发展要求。氮化铝(AlN)作为第三代/第四代半导体材料的典型代表，具有超宽禁带、高热导率、高击穿场强、高电子迁移率、耐腐蚀、耐辐射等优越物理化学性能，特别适合于制造光电子器件、射频通信器件、高功率/高频电力电子器件等，是紫外LED、紫外探测器、紫外激光、5G高功率/高频射频、5G通信SAW/BAW器件等最佳衬底材料，广泛应用于环保、电子、无线通讯、印刷、生物、医疗、军事等领域，如紫外净化/灭菌(污水处理、饮用水消毒、空气杀菌、表面杀菌、除臭等)、紫外固化、紫外催化、防伪检测、高密度存储、医学光照治疗、药物研发、移动通信及保密通信、紫外空间探测等领域。AlxGa1-xN具有3.4至6.0eV的宽直接带隙和出色的热稳定性和化学稳定性，因此其在深紫外(DUV)领域的光电器件具有很大的潜力。然而，由于缺少理想的商业衬底，基于AlxGa1-xN的光电器件，例如...
【技术保护点】
1.一种大批量制备高质量氮化铝模板的加热装置，包括保温屏、支撑平台（19）和安装部件（15），所述支撑平台（19）和安装部件（15）均安装在保温屏的内部，其特征在于，支撑平台（19）的下端固定有升降电机并且安装部件（15）固定在支撑平台（19）上端，安装部件（15）的上方安装有上加热器（13）和上温度监控仪（14），安装部件（15）的下方安装有下加热器（16）和下温度监控仪（17）。/n
【技术特征摘要】
1.一种大批量制备高质量氮化铝模板的加热装置，包括保温屏、支撑平台（19）和安装部件（15），所述支撑平台（19）和安装部件（15）均安装在保温屏的内部，其特征在于，支撑平台（19）的下端固定有升降电机并且安装部件（15）固定在支撑平台（19）上端，安装部件（15）的上方安装有上加热器（13）和上温度监控仪（14），安装部件（15）的下方安装有下加热器（16）和下温度监控仪（17）。
2.根据权利要求1所述的大批量制备高质量氮化铝模板的加热装置，其特征在于，所述保温屏包括上保温屏（12）、下保温屏（20）和两个侧保温屏（18），每个侧保温屏（18）的上端均与上保温屏（12）相连，每个侧保温屏（18）的下端均与下保温屏（20）相连，上保温屏（12）、下保温屏（20）和两个侧保温屏（18）形成一个封闭结构。
3.根据权利要求1所述的大批量制备高质量氮化铝模板的加热装置，其特征在于，所述上加...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴亮，王琦琨，刘欢，雷丹，黄嘉丽，龚建超，朱如忠，黄毅，
申请(专利权)人：奥趋光电技术杭州有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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