本发明公开了一种氮化铝晶片批量式热掺杂装置，包括掺杂容器、容器盖、旋转支架、晶片载盘及紫外辐照系统。晶片载盘用于夹持氮化铝晶片并置于旋转支架上；旋转支架带动晶片载盘旋转。晶片载盘通过通孔暴露晶片的正反面于掺杂气氛中。紫外辐照系统包括的紫...

本发明公开了一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法，采用异质衬底通过多层氮化铝生长获得氮化铝籽晶，再物理气相传输法制得大尺寸体块氮化铝单晶。具体的，采用硅单晶等异质衬底，生长第一氮化铝层；采用氢化物气相外延法接着生长第二氮化铝层；去除异质衬底...

本发明公开了一种低位错密度

本发明公开了一种氮化铝晶体生长的籽晶固定方法，步骤包括：

一种氮化铝晶体生长的籽晶粘接方法，它属于氮化铝籽晶粘结技术领域，包括(1)将氮化铝粉末、硅酸盐、钨粉、蒸馏水按比例混合均匀，制成粘接剂；(2)将粘接剂分别均匀涂至支撑部件和AlN籽晶片的粘结面表面；(3)将涂有粘接剂的支撑部件和AlN籽...

本发明公开了一种高纯氮化铝原料的制备方法，依次包括S1和S2工艺。S1为：将AlN源粉在相对低温、高氮气压、大轴向温梯保温，去除大部分粉末内含杂质、形成陶瓷体；升温至高温，转低氮气压，转小轴向温梯保温，原料发生晶化且深度去除原料表面杂质...

本实用新型公开了一种可控式物质流通的AlN长晶坩埚系统。所述坩埚系统为半开放式、包括物质流通可控式结构。具体包括坩埚本体和坩埚盖，固定在坩埚盖上的籽晶，以及物质气流通道，所述物质气流通道用于所述坩埚系统与所述坩埚系统外进行物质气流交换，...

本实用新型公开了一种高性能声表面波滤波器，其结构至少包括：1）R取向蓝宝石单晶衬底；2）在所述衬底上的非极性面AlN薄膜层；3）所述AlN薄膜层上的非极性面AlScN压电薄膜层；4）所述AlScN压电薄膜层上表面向下刻蚀形成的AlScN...

本实用新型提供了一种在热处理工艺中适用于自动化装卸载薄膜模板的晶盒。该晶盒至少包括晶盒本体、晶盒底座。所述晶盒本体为一上开口容器，至少可容纳两片薄膜模板；所述晶盒本体的底部设置有多个贯通孔，用于顶杆在晶盒本体内的自由升降。所述晶盒底座为...

本发明公开了一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，包括步骤如下：准备一类衬底材料、在一类衬底上生长AlN种子层和GaN剥离层、在GaN剥离层上生长AlN前驱体，AlN前驱体经高温高压热处理技术形成AlN缓冲层，在AlN缓冲层上制备压电层...

本实用新型提供了一种AlN晶片的批量掺杂装置，该装置至少包括一容器与以及与每容器所匹配的一多孔载物片；多孔载物片采用密集规律排布的开孔设计；该装置还包括一压盖与一覆盖片；容器内底部设置一个或多个均匀排列的凹槽，用于放置掺杂物质；容器内壁...

本实用新型提供了一种氮化铝籽晶固定装置，包括带槽容器及籽晶台；带槽容器为一内含轴向贯通孔的圆柱体，轴向贯通孔由一大径孔及一小径孔构成，大径孔、小径孔连接处形成一台阶面；大径孔内壁设有内螺纹；籽晶台为一圆形螺柱，圆形螺柱侧壁上设有外螺纹，...

本实用新型提供了一种碳化硅基模板的热处理装置该热处理装置至少包括一上开口的容器与一覆盖片，容器外壁设置有定位台阶，用于多层容器间的两两搭接组合，定位台阶为至少包括一个台阶面。热处理时，两片碳化硅基模板以外延面面对面的方式叠放于容器内，覆...

本发明提供了一种用于PVT的复合结构AlN籽晶，所述AlN籽晶由上至下依次为氮化铝籽晶片、背封薄膜、AlN厚膜，其中所述氮化铝籽晶片双面均为抛光面，所述氮化铝籽晶片的背面的粗糙度小于2nm；所述背封薄膜为W、Mo、Ta、WC、TaC、B...

本实用新型提供了一种非连续基底结构声表面波滤波器，包括以下结构：1)衬底层；2)设置在所述衬底层上压电薄膜层和其中包含的声阻抗非连续层；3)设置在所述压电薄膜层上的叉指换能器。通过本实用新型的方案，可以在声表面波器件(SAW)传播路径上...

本发明公开了一种高频高性能SAW器件用碳化硅基AlScN模板，该碳化硅基AlScN模板为多层结构，以单晶碳化硅为衬底，在碳化硅的抛光面上依次生长SiO2层、金属钝化层、AlN种子层、低浓度Sc掺杂的AlScN层以及高浓度Sc掺杂的AlS...

本发明公开了一种物理气相传输法制备Al1‑

本发明公开了一种氮化铝籽晶高温粘接方法。将氮化铝籽晶、籽晶支撑件、以及高纯氮化铝原料放置于一封闭结构的坩埚内，籽晶支撑件及籽晶置于坩埚底部、氮化铝原料固定于籽晶上方位置；在高温炉中完成粘接。粘接工艺主要包括以下步骤（1）高温炉抽真空，通...

本发明提供了一种提高氮化铝晶片紫外透过率的方法，包括如下步骤：在待处理氮化铝晶片的上下表面覆盖至少一层保护材料，形成夹层组合结构；将所述夹层组合结构装配至容器中，并将所述容器置于高温炉中；将所述高温炉抽真空，升温后充入保护气体，达到预设...

本发明公开了一种用于物理气相传输法生长晶体的坩埚系统及其使用方法，通过在坩埚中放置隔离片，将坩埚本体和坩埚盖围成的内部空间即晶体生长腔体分隔为独立的两部分，其中所述隔离片上表面与坩埚盖之间为隔离室，隔离片下表面与坩埚底之间为晶体生长室。...