本发明公开了一种用于物理气相传输法生长晶体的坩埚系统及其使用方法，通过在坩埚中放置隔离片，将坩埚本体和坩埚盖围成的内部空间即晶体生长腔体分隔为独立的两部分，其中所述隔离片上表面与坩埚盖之间为隔离室，隔离片下表面与坩埚底之间为晶体生长室。...

本发明公开了一种物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法，所述方法包括：S1，将氮化铝原料固定于坩埚内壁四周；S2，将籽晶固定于坩埚内晶体生长腔中间位置；S3，将坩埚放入高温炉中，通入高纯氮气，升温至预设温度，并调节至所述籽晶周围形成小温梯进...

本发明提供了一种高质量掺钪氮化铝薄膜模板的制备方法，包括如下步骤：S1、准备衬底；S2、在所述衬底上采用镀膜技术沉积薄膜过渡层；S3、采用高温面对面热处理技术对所述薄膜过渡层在纯氮气气氛下进行高温热处理形成高质量缓冲层；S4、采用反应式...

本发明提供了一种非连续基底结构声表面波滤波器，包括以下结构：1)衬底层1；2)设置在所述衬底层上压电薄膜层2和其中包含的声阻抗非连续层3；3)设置在所述压电薄膜层上的叉指换能器4。通过本发明的方案，可以在声表面波器件(SAW)传播路径上...

本实用新型公开了一种异形籽晶，用于悬挂于籽晶架上进行氮化铝晶体的外延生长，包括底端悬挂部、中间衔接部和顶端外延部，当其悬挂于籽晶架上时，所述底端悬挂部的下表面完全覆盖籽晶架的内孔，所述顶端外延部位于籽晶架下方，并通过位于籽晶架内孔中的中...

本发明的目的在于解决提升高难度氮化铝晶片制备中的晶片结晶质量、紫外透过率、加工成品率等方面的问题，提供了一种氮化铝晶片热处理方法，通过对氮化铝晶片在特定环境下热处理，有效改善上述问题以提升晶片质量与加工成品率。为实现上述目的，本发明采用...

本实用新型的提供了一种大温差晶体生长炉，包括：坩埚托台，放置于坩埚托台上的坩埚，用于加热坩埚底部的加热器，用于冷却坩埚顶部的伸入式水冷壁，以及围绕坩埚布置的保温部件；其中，所述伸入式水冷壁自炉体水冷壁向下延伸并靠近坩埚顶部，所述保温部件...

本发明公开了一种制备高质量氮化铝模板的方法，主要解决的问题为衬底材料与氮化铝的晶格失配和热失配大，使得氮化铝在衬底材料上的初期形核层结晶质量和表面质量差，且高温存在大量残余应力，导致高密度缺陷和裂纹，对后续制备器件产生极其不利的影响。本...

本发明公开了一种制备高质量硅基氮化铝模板的方法，要解决的是硅基缓冲层的表面质量与结晶质量较差影响外延氮化铝层质量的问题。本发明制备高质量硅基氮化铝模板具体步骤为：1)准备硅单晶衬底；2)基于所述硅单晶衬底生长初始缓冲层；3)通过离子轰击...

本发明提供了一种制备高压电性能模板的方法，包括以下步骤：1)准备衬底材料；2)对衬底材料表面进行预处理；3)采用Al/Sc/Ta单质或双质或三质合金靶材，在预处理后的衬底材料表面生长AlScTaN薄膜。采用本发明的制备方法，可以在制备的...

本发明的提供了一种大温差晶体生长炉，包括：坩埚托台，放置于坩埚托台上的坩埚，用于加热坩埚底部的加热器，用于冷却坩埚顶部的伸入式水冷壁，以及围绕坩埚布置的保温部件；其中，所述伸入式水冷壁自炉体水冷壁向下延伸并靠近坩埚顶部，所述保温部件用于...

本实用新型公开了一种大批量制备高质量氮化铝模板的加热装置，要解决的是现有高质量氮化铝模板制备中加热装置无法满足大批量制备氮化铝模板需求的问题。本实用新型包括保温屏、支撑平台和安装部件，所述支撑平台和安装部件均安装在保温屏的内部，支撑平台...

本发明公开了一种大批量制备高质量氮化铝模板的加热装置及制备方法，要解决的是现有高质量氮化铝模板制备中加热装置无法满足大批量制备氮化铝模板需求的问题。本发明包括保温屏、支撑平台和安装部件，所述支撑平台和安装部件均安装在保温屏的内部，支撑平...