一种制备高质量氮化铝模板的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备高质量氮化铝模板的方法，主要解决的问题为衬底材料与氮化铝的晶格失配和热失配大，使得氮化铝在衬底材料上的初期形核层结晶质量和表面质量差，且高温存在大量残余应力，导致高密度缺陷和裂纹，对后续制备器件产生极其不利的影响。本发明专利技术制备高质量氮化铝模板具体步骤为：1)准备高质量衬底材料、高质量氮化铝单晶片；2)使用剥离键合技术转印氮化铝薄膜；3)使用热处理技术提高模板质量。通过以上步骤本发明专利技术实现了高品质氮化铝模板的制备。

【技术实现步骤摘要】
一种制备高质量氮化铝模板的方法
本专利技术涉及半导体薄膜
，具体涉及一种制备高质量氮化铝模板的方法。
技术介绍
传统硅基等半导体材料已经无法满足当前电子器件的发展要求。氮化铝(AlN)作为第三代/第四代半导体材料的典型代表，具有超宽禁带、高热导率、高击穿场强、高电子迁移率、耐腐蚀、耐辐射等优越物理化学性能，特别适合于制造光电子器件、射频通信器件、高功率/高频电力电子器件等，是紫外LED、紫外探测器、紫外激光、5G高功率/高频射频、5G通信SAW/BAW器件等最佳衬底材料，广泛应用于环保、电子、无线通讯、印刷、生物、医疗、军事等领域，如紫外净化/灭菌(污水处理、饮用水消毒、空气杀菌、表面杀菌、除臭等)、紫外固化、紫外催化、防伪检测、高密度存储、医学光照治疗、药物研发、移动通信及保密通信、紫外空间探测等领域。GaN是宽禁带半导体中另一个极具发展潜力的半导体材料，2014年诺贝尔物理学奖授予GaN基蓝光LED的三位研究者，表明其重要的应用价值。然而，由于缺少理想的商业衬底，基于AlxGa1-xN的光电器件，例如紫外发光二极管(LEDs)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备高质量氮化铝模板的方法，包括如下步骤：/nS1、准备衬底材料和氮化铝单晶片；/nS2、基于剥离键合技术转印氮化铝薄膜；/nS3、对转印后的氮化铝薄膜进行热处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种制备高质量氮化铝模板的方法，包括如下步骤：
S1、准备衬底材料和氮化铝单晶片；
S2、基于剥离键合技术转印氮化铝薄膜；
S3、对转印后的氮化铝薄膜进行热处理。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1具体包括：
S11、获取衬底材料和氮化铝单晶片；
S12、对衬底材料和氮化铝单晶片进行低温预处理。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中，所述衬底材料为硅、锗衬底材料，或者是氧化硅、氧化锌、蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氮化铝、砷化镓、磷化铟、铌酸锂或钽酸锂化合物衬底材料。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中，所述氮化铝单晶片的位错密度小于105cm-2，高分辨摇摆曲线0002衍射面的半高宽小于400arcsec，预处理的表面粗糙度小于2nm。


5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，步骤S2具体包括：
S21、对氮化铝单晶片进行离子注入形成离...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴亮，付丹扬，王琦琨，朱如忠，龚建超，刘欢，
申请(专利权)人：奥趋光电技术杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33