压电性材料基板与支撑基板的接合体以及弹性波元件制造技术

在将由铌酸锂等形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，提高接合体的特性。接合体(8、8A)具备：支撑基板(3)；压电性材料基板(1、1A)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成；以及接合层(7)，其将支撑基板和压电性材料基板接合。接合层(7)的材质为氧化硅。在将接合层(7)分为压电性材料基板侧接合部(7a)和支撑基板侧接合部(7b)时，压电性材料基板侧接合部(7a)中的氮浓度高于支撑基板侧接合部(7b)中的氮浓度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压电性材料基板与支撑基板的接合体以及弹性波元件
本专利技术涉及压电性材料基板与支撑基板的接合体、以及弹性波元件。
技术介绍
为了实现高性能的半导体元件，广泛使用了由高电阻Si/SiO2薄膜/Si薄膜构成的SOI基板。在实现SOI基板时，使用了等离子体活化。其原因在于，能够在较低的温度(400℃)下进行接合。为了提高压电器件的特性，提出了类似的由Si/SiO2薄膜/压电薄膜构成的复合基板(专利文献1)。在专利文献1中，通过离子注入法进行活化后，将由铌酸锂、钽酸锂形成的压电性材料基板和设置有氧化硅层的硅基板接合。还提出了一种多层结构的过滤器，其在接合界面形成单一或多个介电膜(专利文献2)。但是，针对用于实现钽酸锂/氧化硅/硅的结构的接合技术，几乎没有相关的公知信息。在专利文献3中记载了通过等离子体活化法将钽酸锂和蓝宝石、陶瓷隔着氧化硅层接合。在非专利文献1中记载了如下内容：对于钽酸锂基板和设置有氧化硅层的硅基板，持续地照射O2的RIE(13.56MHz)等离子体和N2的微波(2.45GHz)等离子体，从而使其接合。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接合体，该接合体具备：/n支撑基板；/n压电性材料基板，所述压电性材料基板由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成；以及/n接合层，所述接合层将所述支撑基板与所述压电性材料基板接合，/n所述接合体的特征在于，/n所述接合层的材质为氧化硅，在将所述接合层分为压电性材料基板侧接合部和支撑基板侧接合部时，所述压电性材料基板侧接合部中的氮浓度高于所述支撑基板侧接合部中的氮浓度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171228 JP 2017-2528721.一种接合体，该接合体具备：
支撑基板；
压电性材料基板，所述压电性材料基板由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成；以及
接合层，所述接合层将所述支撑基板与所述压电性材料基板接合，
所述接合体的特征在于，
所述接合层的材质为氧化硅，在将所述接合层分为压电性材料基板侧接合部和支撑基板侧接合部时，所述压电性材料基板侧接合部中的氮浓度高于所述支撑基板侧接合部中的氮浓度。


2.根据权利要求1所述的接合体，其特征在于，所述压电性材料基板侧接合部中的碳浓度高于所述支撑基板侧接合部中的碳浓度。


3.根据权利要求1或2所述的接合体，其特征在于，所述压电性材料基板侧接合部中的氟浓度高于所述支撑基板侧接合部中的氟浓度。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的接合体，其特征在于，所述压电性材料基板的厚度为4.0μm以下。


5.一种接...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀裕二，山寺乔纮，高垣达朗，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP