【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子半导体组件和光电子半导体组件的制造方法
本专利技术提出一种光电子半导体组件,还提出一种光电子半导体组件的制造方法。
技术介绍
文献DE102015208704A1描述了一种具有陶瓷壳体的光电子半导体组件。文献DE102009005709A1提出了一种光电子半导体组件,其包括具有陶瓷的壳体。
技术实现思路
在此,要实现的目的是提出一种可高效生产的、具有气密壳体的光电子半导体组件。此外,该目的通过具有独立权利要求的特征的光电子半导体组件和制造方法来实现。优选的改进方案是从属权利要求的内容。根据至少一个设计方案,半导体组件包括一个或多个半导体芯片。至少一个半导体芯片设置用于产生辐射。半导体芯片优选是激光二极管,半导体芯片可选地能够是发光二极管。半导体芯片尤其设计用于产生近紫外辐射、可见光或近红外辐射。半导体芯片优选地产生蓝光。根据至少一个设计方案,半导体组件包括壳体。壳体由无机材料制成。也就是说,壳体从壳体的内部到外部优选地不具有连续的连接线,该连接线由有机材料、例如塑料、 ...
【技术保护点】
1.一种光电子半导体组件(1),具有至少一个用于产生辐射的半导体芯片(2)和无机的壳体(3),其中,/n-所述半导体芯片(2)气密地安置在所述壳体(3)中,/n-所述壳体(3)具有底板(31)、盖板(33)和在所述底板(31)与所述盖板(33)之间的至少一个壳体环(31)以及多个电导通孔(51),/n-由所述壳体环(32)形成凹陷部(15),所述半导体芯片(2)位于所述凹陷部中,/n-在组件底面(11)处的所述底板(31)具有多个电连接面(4),/n-多个所述导通孔(51)分别沿着横向于所述组件底面(31)的方向延伸穿过所述底板(31)、所述盖板(33)以及所述壳体环(32 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171009 DE 102017123413.61.一种光电子半导体组件(1),具有至少一个用于产生辐射的半导体芯片(2)和无机的壳体(3),其中,
-所述半导体芯片(2)气密地安置在所述壳体(3)中,
-所述壳体(3)具有底板(31)、盖板(33)和在所述底板(31)与所述盖板(33)之间的至少一个壳体环(31)以及多个电导通孔(51),
-由所述壳体环(32)形成凹陷部(15),所述半导体芯片(2)位于所述凹陷部中,
-在组件底面(11)处的所述底板(31)具有多个电连接面(4),
-多个所述导通孔(51)分别沿着横向于所述组件底面(31)的方向延伸穿过所述底板(31)、所述盖板(33)以及所述壳体环(32),
-所述底板(31)、至少一个所述壳体环(32)和所述盖板(33)通过连续的环绕的无机的密封框架(6)固定地互相连接,并且
-所述壳体(3)包括用于发射辐射的辐射出射区域(34)。
2.根据前一权利要求所述的光电子半导体组件(1),所述光电子半导体组件包括多个所述壳体环(32),其中,所述壳体环(32)互相层叠放置并且在俯视观察时在所述凹陷部(15)的区域中有互相不同的造型,并且所述壳体环通过金属的密封框架(6)固定地互相连接,其中,所述导通孔(51)中的至少两个导通孔与所述凹陷部(15)间隔开地延伸并且/或者与所述凹陷部(15)电绝缘,并且其中,所述底板(31)和所述壳体环(32)分别由陶瓷制成,并且所述盖板(33)包括陶瓷和/或玻璃或者由陶瓷和/或玻璃构成。
3.根据前一权利要求所述的光电子半导体组件(1),其中,所述壳体环(32)中的至少一个壳体环是用于所述半导体芯片(2)的安装平台,以使所述半导体芯片(2)安装在该壳体环(32)上。
4.根据权利要求2或3中任一项所述的光电子半导体组件(1),其中,在每一个所述壳体环(32)处,在所述凹陷部(15)中安置至少一个电接触面(35),其中,所述电接触面(35)平行于所述组件底面(11)地定向。
5.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(1),其中,多个电接触面(35)在所述凹陷部(15)中分别位于所述底板(31)和所述盖板(33)处,所述电接触面与所述半导体芯片(2)直接或间接地电连接。
6.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(1),其中,在所述凹陷部(15)中设有以下部件中的一个或多个:用于所述半导体芯片(2)的驱动器(71)、集成电路(72)、监控二极管(73)、用于所述半导体芯片(2)的功率重新调节的调节电路(74)、用于所述辐射出射区域(34)的控制单元(76)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(1),其中,在俯视观察时,所述辐射出射区域(34)占据所述盖板(33)的基面的最多10%,其中,所述辐射出射区域(34)被所述盖板(33)包围。
8.根据前述权利要求中任一项所述的光电子半导体组件(1),其中,所述辐射出射区域(34)包括一个或多个发光材料体(36),所述发光材料体用于部分或完全地转换由所述半导体芯...
【专利技术属性】
技术研发人员:约尔格·埃里克·佐格,克里斯托夫·科勒,安德烈亚斯·多布纳,
申请(专利权)人:欧司朗OLED股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。