一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，包括步骤如下：准备一类衬底材料、在一类衬底上生长AlN种子层和GaN剥离层、在GaN剥离层上生长AlN前驱体，AlN前驱体经高温高压热处理技术形成AlN缓冲层，在AlN缓冲层上制备压电层、采用激光剥离技术，将压电层键合至二类衬底材料，形成声波器件用压电薄膜模板。采用本发明专利技术的制备方法，在AlN缓冲层和压电层界面处形成位错湮灭层，降低压电层的位错密度，且高温高压热处理工艺避免GaN剥离层的分解及开裂问题。GaN的剥离，避免了二类衬底上直接生长压电薄膜带来的质量差、应力大等问题，为高频、高性能滤波器提供非常有效的材料端解决方案。决方案。决方案。

【技术实现步骤摘要】
一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法
[0001]

[0002]本专利技术涉及半导体材料制备
，具体涉及一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法。

技术介绍

[0003]射频声学滤波器是射频前端芯片中最核心的芯片，滤波器有声表面SAW滤波器和和体声波BAW滤波器两种结构。SAW器件受限于插齿对线宽，通常频率小于2.5GHz，相比之下，BAW滤波器可以达到7GHz，且对温度变化不敏感，具备“插入损耗小、带外衰减大”等优点，因此更加适用于5G的基础设施、5G的移动设备、WIFI 6E等。
[0004]BAW器件主要有FBAR、SMR和XBAW。FBAR器件结构是比较常用的BAW器件，这个器件结构ScAlN压电薄膜直接在Mo电极上生长，容易导致薄膜具有较大的内部应力。另外预先铺设好的Mo电极在生长过程中，其边缘会有一定的弯曲度，因此直接生长在Mo电极上的ScAlN压电薄膜也会有一定的弯曲度，最终会导致谐振器产生杂波。SMR器件结构和FBAR结构一样，需要在Mo电极上生长ScAlN薄膜，容易造成较大的薄膜应力，同时由于压电薄膜的弯曲容易导致杂波本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：1)准备一类衬底；2)首先在一类衬底上制备AlN种子层，再在AlN种子层上生长GaN剥离层；3)在GaN剥离层上生长AlN前驱体，然后经高温高压热处理技术形成AlN缓冲层；4)在AlN缓冲层上制备压电层；5)将压电层键合至二类衬底上；采用激光剥离技术，将GaN剥离层、AlN种子层、一类衬底剥离，形成从上至下由AlN缓冲层、压电层、二类衬底构成的所述声波器件用压电薄膜模板。2.根据权利要求1所述的一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，其特征在于：步骤1）中，所述一类衬底，其材料选自Si、蓝宝石、碳化硅、金刚石或AlN。3.根据权利要求1所述的一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，其特征在于：步骤1）中，所述一类衬底为平片或表面做图形化处理。4.根据权利要求1所述的一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，其特征在于：步骤2）中，所述一类衬底上制备AlN种子层的厚度为5
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100nm，AlN种子层上生长GaN剥离层的膜厚为50
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴亮，付丹扬，王琦琨，龚建超，
申请(专利权)人：奥趋光电技术杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：