电极外围具有两层横向结构的薄膜体声波谐振器制备方法技术

本发明专利技术公开了电极外围具有两层横向结构的薄膜体声波谐振器制备方法，具体如下：衬底上依次沉积剥离层、压电层和第一电极，第一电极外围依次沉积两个第一下横向结构和两个第二下横向结构；第一电极表面淀积包裹第一电极、两个第一下横向结构和两个第二下横向结构的牺牲层，压电层上沉积包裹牺牲层的保护层；压电层上淀积包裹保护层的待键合层一；待键合层一与待键合层二键合，去除衬底，压电层上沉积第二电极；在压电层上形成通孔来去除牺牲层。本发明专利技术在谐振器的下电极外围设置第一下横向结构和第二下横向结构，进一步可在上电极外围设置第一上横向结构和第二上横向结构，这些结构改进能共同优化谐振器的阻抗比，提升谐振器Q值。器Q值。器Q值。

【技术实现步骤摘要】
电极外围具有两层横向结构的薄膜体声波谐振器制备方法


[0001]本专利技术涉及薄膜体声波谐振器，具体涉及一种电极外围具有两层横向结构的薄膜体声波谐振器制备方法。

技术介绍

[0002]薄膜体声波谐振器具有尺寸小、功耗低、品质因数高、与CMOS工艺兼容等特点，已成为射频通讯领域重要的器件。但现有薄膜体声波谐振器的电极结构设计思路有限，特别在结构尺寸更大的下电极部分却没有设计起到减少声波损耗作用的结构。因此，有望对电极结构进行进一步设计，制备出具有更高频率和Q值的单晶压电薄膜体声波谐振器。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是针对现有技术的不足，提供一种电极外围具有两层横向结构的薄膜体声波谐振器制备方法。
[0004]本专利技术采用以下技术方案实现：
[0005]本专利技术电极外围具有两层横向结构的薄膜体声波谐振器制备方法，具体步骤如下：
[0006]S1：对衬底使用丙酮和异丙醇进行超声水洗；然后在衬底的一侧沉积剥离层，在剥离层上沉积压电层；在压电层表面沉积金属并图形化，形成第一电极。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.电极外围具有两层横向结构的薄膜体声波谐振器制备方法，其特征在于：具体步骤如下：S1：对衬底使用丙酮和异丙醇进行超声水洗；然后在衬底的一侧沉积剥离层，在剥离层上沉积压电层；在压电层表面沉积金属并图形化，形成第一电极；S2：在第一电极外围沉积金属并图形化，形成间距设置的两个第一下横向结构；然后，在两个第一下横向结构表面沉积金属并图形化，形成间距设置的两个第二下横向结构；S3：在压电层、第一电极和第二下横向结构表面淀积非晶硅薄膜或非晶硅，并图形化，形成包裹第一电极、两个第一下横向结构和两个第二下横向结构的牺牲层；S4：在压电层表面沉积包裹整个牺牲层的保护层；S5：在压电层的剩余部分淀积包裹保护层的待键合层一，并采用化学机械研磨的方式使待键合层一表面平整；S6：对基底使用丙酮和异丙醇进行超声水洗；然后，在基底的一侧淀积待键合层二，然后将待键合层一与待键合层二通过键合工艺连接；S7：去除衬底；S8：在压电层表面沉积金属并图形化，形成第二电极；S9：采用等离子刻蚀或湿法腐蚀工艺在压电层表面形成通孔；通孔的底部开口于牺牲层与压电层的接触位置；然后，通过湿法腐蚀工艺或干法腐蚀工艺利用通孔去除牺牲层，形成空腔。2.根据权利要求1所述电极外围具有两层横向结构的薄膜体声波谐振器制备方法，其特征在于：在步骤S9之前还有如下步骤：在第二电极外围表面沉积金属并图形化，形成间距设置的两个第一上横向结构；然后，在两个第一上横向结构表面沉积金属并图形化，形...

【专利技术属性】
技术研发人员：轩伟鹏，张标，石林豪，董树荣，金浩，骆季奎，李文钧，孙玲玲，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：