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本发明公开了一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，包括步骤如下：准备一类衬底材料、在一类衬底上生长AlN种子层和GaN剥离层、在GaN剥离层上生长AlN前驱体，AlN前驱体经高温高压热处理技术形成AlN缓冲层，在AlN缓冲层上制备压电层、采...
该专利属于奥趋光电技术（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥趋光电技术（杭州）有限公司授权不得商用。

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