一种体声波谐振器的制备方法及制备装置制造方法及图纸

本文公开一种体声波谐振器的制备方法及制备装置，包括：在衬底材料上制备谐振振子和支撑锚；在谐振振子上制备第一材料层；图形化处理第一材料层获得阻断掩模；腐蚀性流体通过谐振振子的通孔流向衬底，以在衬底上刻蚀空腔；去除阻断掩模，获得体声波谐振器；其中，谐振振子包含预设的通孔；谐振振子和支撑锚组成区域的外侧存在腐蚀性流体流向衬底的通路；阻断掩模用于阻断除通孔外所有腐蚀性流体的通路。本发明专利技术实施例对通过设置阻断掩模避免了腐蚀性流体从除预设的通孔以外的位置流向衬底，使衬底空腔上表面的面积缩小至谐振振子的面积的4倍以内。积的4倍以内。积的4倍以内。

【技术实现步骤摘要】
一种体声波谐振器的制备方法及制备装置


[0001]本文涉及但不限于传感器技术，尤指一种体声波谐振器的制备方法及制备装置。

技术介绍

[0002]第五代移动通信(5G)超高频段通讯技术相较于第四代移动通信(4G)通讯技术具有信息传输速度更快、传输容量较大、传输延迟较低等优势，在无线通讯领域和工业互联网领域都具有广阔的应用场景；在插入损耗、带外抑制和群延时等指标，5G通讯对于超高频滤波器的要求极高；利用声波和电信号相互转换的压电微机电系统(MEMS)滤波器有希望满足上述指标，此外，压电MEMS滤波器还具备面积小、可以与集成电路制造工艺兼容等一系列优势；但目前受到器件设计和加工工艺等方面的制约，难以批量化生产超高频压电滤波器。
[0003]在压电MEMS滤波器中，梯形滤波器因具有插入损耗低、设计简单等优点而被广泛使用。梯形滤波器的基本单元是压电谐振器，压电谐振器包括声表面波谐振器和体声波谐振器等多个种类；传统声表面波谐振器通常选择压电单晶基板如铌酸锂、钽酸锂和锗酸铋制备，工艺相对简单和成熟，已经实现了批量化生产；但声表面波谐振器面积较大，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器的制备方法，包括：在衬底材料上制备谐振振子和支撑锚；其中，谐振振子包含预设的通孔；所述谐振振子和所述支撑锚组成区域的外侧存在腐蚀性流体流向衬底的通路；在制备的谐振振子上制备第一材料层；图形化处理第一材料层获得阻断掩模；其中，所述阻断掩模用于阻断除通孔外所有腐蚀性流体的通路；腐蚀性流体通过谐振振子的通孔流向衬底，以在衬底上刻蚀空腔；去除阻断掩模，获得体声波谐振器。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去除阻断掩模，包括：通过溶解和/或等离子体轰击去除所述阻断掩模。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述谐振振子包括底电极和压电材料薄膜；所述通孔包括：设置在所述底电极上的一个以上第一通孔和设置在所述压电材料薄膜上的一个以上第二通孔。4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述谐振振子包括顶电极和压电材料薄膜；所述通孔包括：设置在所述顶电极上的一个以上第三通孔和设置在所述压电材料薄膜上的一个以上第二通孔。5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述谐振振子包括：底电极、压电材料薄膜和顶电极；所述通孔包括：设置在所述底电极上的一个以上第一通孔、设置在所述压电材料薄膜上的一个以上第二通孔和设置在所述顶电极上的一个以上第三通孔。6.一种体声波谐振器的制备方法，包括：在衬底材料上制备谐振振子和支撑锚；其中，谐振振子包含预设的通孔；所述谐振振子和所述支撑锚组成区域的外侧存在腐蚀性流体流向衬底的通路；在制备的谐振振子上制备第一材料层；图形化处理第一材料层获得阻断掩模；其中，阻断掩模用于阻断除通孔外所有腐蚀性流体的通路；在获得的阻断掩模上制备第二材料层；图形化处理第二材料层获得图形化掩模；腐蚀性流体通过谐振振子的通孔流向衬底，以在衬底上刻蚀空腔；利用图形化掩模刻蚀阻断掩模；去除图形化掩模，获得体声波谐振器。7.一种体声波谐振器的制备装置，包括：第一制备单元、第二制备单...

【专利技术属性】
技术研发人员：南天翔，曹昌铭，田世伟，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：