【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶体生长领域，尤其涉及一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法。
技术介绍
1、氮化铝(aln)具有高禁带宽度(6.2ev)、高热导率(340w/(m·k))、高击穿场强(11.7mv/cm)、良好的紫外透过率、化学和热稳定性等优异性能，是高温、高频、高功率电子器件以及高al组分深紫外光电器件的理想衬底，如功率器件、深紫外发光二极管(duv-leds)、紫外激光器、传感器等。特别是，aln是一种理想的紫外光电子器件材料，可广泛应用于深紫外led、紫外固化、紫外探测器等领域。当前，gan材料是光电子材料研究领域的前沿及热点，但由于gan块状衬底材料无法获取，迫使科研人员寻找性能优越的gan衬底材料。由于aln与gan晶体结构同属纤锌矿结构，沿c面的晶格失配率仅为2.4％，以及aln衬底具有较低的位错密度(典型值为105cm-2)已被证实明显优于si、sic和蓝宝石衬底，可极大地提高duv-leds、激光器和探测器的发光效率。另一方面，aln与gan的热膨胀系数最为接近，在1000℃以下的热膨胀系数失配接近零，因此可以避免冷却过程中外...
【技术保护点】
1.一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法，其特征在于，所述异质单晶衬底选自硅单晶衬底、蓝宝石单晶衬底、碳化硅单晶衬底、氮化镓单晶衬底；所述异质单晶衬底的直径为2-12英寸。
3.根据权利要求1所述的一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法，其特征在于，所述步骤2)中的所述生长第一氮化铝层采用磁控溅射法、金属有机化合物化学气相沉积法、物理气相传输法或氢化物气相外延法。
4.根据权利要求1所述的一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法，其特征在于，所述步骤2)中的所述第一...
【技术特征摘要】
1.一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法，其特征在于，所述异质单晶衬底选自硅单晶衬底、蓝宝石单晶衬底、碳化硅单晶衬底、氮化镓单晶衬底；所述异质单晶衬底的直径为2-12英寸。
3.根据权利要求1所述的一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法，其特征在于，所述步骤2)中的所述生长第一氮化铝层采用磁控溅射法、金属有机化合物化学气相沉积法、物理气相传输法或氢化物气相外延法。
4.根据权利要求1所述的一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法，其特征在于，所述步骤2)中的所述第一氮化铝层的生长厚度为0.1-5um。
5.根据权利要求1所述的一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法，其特征在于，所述步骤2)中的高温热处理的温度为1200-1800℃，采用保护气体ar气或n2气，热处理时长为0.5-100h。
6.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王琦琨，雷丹，吴亮，韩康泽，
申请(专利权)人：奥趋光电技术杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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