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本发明公开了一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法，采用异质衬底通过多层氮化铝生长获得氮化铝籽晶，再物理气相传输法制得大尺寸体块氮化铝单晶。具体的，采用硅单晶等异质衬底，生长第一氮化铝层；采用氢化物气相外延法接着生长第二氮化铝层；去除异质衬底并双...
该专利属于奥趋光电技术（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥趋光电技术（杭州）有限公司授权不得商用。

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