集成电路装置制造方法及图纸

提供了集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，与鳍型有源区交叉，并在基底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸；源区/漏区，在鳍型有源区中位于栅极结构的第一侧上；第一接触结构，位于源区/漏区上；以及接触盖层，位于第一接触结构上。第一接触结构的顶表面在第一方向上具有第一宽度，接触盖层的底表面在第一方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度，并且接触盖层包括从第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。

Integrated circuit device

【技术实现步骤摘要】
集成电路装置本专利申请要求于2018年11月23日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0146777号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
专利技术构思涉及集成电路装置，更具体地，涉及包括鳍型有源区的集成电路装置。
技术介绍
随着生产更轻、更薄和更小的电子器件的趋势，对更高集成度的集成电路装置的需求不断增大。随着集成电路装置已缩小，由于晶体管的短沟道效应，已存在集成电路装置的可靠性劣化的问题。为了减小短沟道效应，已经提出了包括鳍型有源区的集成电路装置。然而，随着设计规则减小，鳍型有源区、栅极线和/或源区/漏区的尺寸减小，使得形成用于栅极线和源区/漏区的电连接结构的工艺已变得困难。
技术实现思路
专利技术构思提供了一种用于减少或防止在具有减小的尺寸的接触结构的制造工艺中的故障的集成电路装置。根据专利技术构思的一些实施例，提供了一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，与鳍型有源区交叉，并在基底上沿本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：/n鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与所述基底的所述顶表面平行的第一方向上延伸；/n栅极结构，与所述鳍型有源区交叉，并在所述基底上沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸；/n源区/漏区，位于所述栅极结构的第一侧上；/n第一接触结构，位于所述源区/漏区上；以及/n接触盖层，位于所述第一接触结构上，/n其中，所述第一接触结构的顶表面在所述第一方向上具有第一宽度，/n其中，所述接触盖层的底表面在所述第一方向上具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一接触结构的所述顶表面的所述第一宽度，并且/n其中，所述接触盖层包括从所述第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。/...

【技术特征摘要】
20181123 KR 10-2018-01467771.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：
鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与所述基底的所述顶表面平行的第一方向上延伸；
栅极结构，与所述鳍型有源区交叉，并在所述基底上沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸；
源区/漏区，位于所述栅极结构的第一侧上；
第一接触结构，位于所述源区/漏区上；以及
接触盖层，位于所述第一接触结构上，
其中，所述第一接触结构的顶表面在所述第一方向上具有第一宽度，
其中，所述接触盖层的底表面在所述第一方向上具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一接触结构的所述顶表面的所述第一宽度，并且
其中，所述接触盖层包括从所述第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。


2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述接触盖层的侧壁在所述第一方向和所述第二方向上从所述第一接触结构的所述侧壁向外突出。


3.根据权利要求1所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：
位于所述栅极结构上的第二接触结构，
其中，所述第二接触结构的侧壁的一部分被所述接触盖层围绕。


4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，所述第二接触结构在与所述接触盖层的所述底表面相对于所述基底的相同的第一高度处的第一宽度小于所述第二接触结构在与所述接触盖层的顶表面相对于所述基底的相同的第二高度处的第二宽度。


5.根据权利要求3所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：
层间电介质，位于所述栅极结构和所述源区/漏区上，
其中，所述第一接触结构的上部和所述接触盖层位于穿透所述层间电介质的第一接触孔中，并且
其中，所述接触盖层的侧壁在所述第二接触孔的内壁处被暴露。


6.根据权利要求3所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：
层间电介质，位于所述栅极结构和所述源区/漏区上，
其中，所述第一接触结构的上部和所述接触盖层位于穿透所述层间电介质的第一接触孔中，
其中，所述第一接触孔包括扩大的上部区域，并且
其中，所述接触盖层位于所述扩大的上部区域中。


7.根据权利要求6所述的集成电路装置，
其中，所述接触盖层包括填充所述扩大的上部区域的第一盖层，
其中，所述第一盖层的底表面与所述第一接触结构的所述顶表面接触，并且
其中，所述第一盖层的顶表面与所述层间电介质的顶表面位于相对于所述基底的相同的高度处。


8.根据权利要求6所述的集成电路装置，其中，所述接触盖层包括：
第一盖层，共形地布置在所述扩大的上部区域的内壁上；以及
第二盖层，在所述扩大的上部区域中位于所述第一盖层上。


9.根据权利要求8所述的集成电路装置，
其中，所述第一盖层包括含有第一量的碳的碳化硅，并且
其中，所述第二盖层包括含有第二量的碳的碳化硅，所述第二量小于所述第一量。


10.根据权利要求6所述的集成电路装置，
其中，所述接触盖层包括第二盖层和第一盖层，所述第二盖层和所述第一盖层在所述扩大的上部区域中顺序地布置在所述第一接触结构上，并且
其中，所述第一盖层的顶表面与所述层间电介质的顶表面共面。


11.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：
第一鳍型有源区至第四鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与所述基底的所述顶表面平行的第一方向上延伸；
第一栅极结构至第四栅极结构，在所述基底上沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，所述第一栅极结构与所述第三鳍型有源区和所述第四鳍型有源区交叉，所述第二栅极结构与所述第一鳍型有源区交叉，所述第三栅极结构与所述第四鳍型有源区交叉，所述第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭大荣，金志睿，千正焕，郭玟灿，卢东贤，李珍旭，玄尚镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR