存储器及其衬垫结构制造技术

本公开提供一种存储器及存储器的衬垫结构。该存储器的衬垫结构包括绝缘支撑层、导电层以及金属层。该绝缘支撑层包括第一区域以及围绕第一区域的环形沟槽。该第一区域内包括多个第一沟槽和多个第二沟槽。多个第一沟槽均与环形沟槽相通。任一第二沟槽与环形沟槽以及任一第一沟槽均不相通。该导电层填充于环形沟槽和各第一沟槽内。该金属层填充于各第二沟槽内。本公开能够提高存储器的寿命。

Memory and its pad structure

【技术实现步骤摘要】
存储器及其衬垫结构
本公开涉及集成电路
，尤其涉及一种存储器及存储器的衬垫结构。
技术介绍
随着集成电路技术的快速发展，存储器引起了人们越来越多的关注。在存储器的制备过程中，需要先在衬底上制备晶体管。该晶体管包括沟道区域、覆盖于沟道区域的栅氧化层以及覆盖于栅氧化层的栅极。在晶体管制备完成后，需要制备衬垫结构以及电容器结构，以形成存储器。然而，该晶体管的栅氧化层在存储器的制备过程中容易受到等离子体损伤，从而降低了所制备的存储器的寿命。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种存储器及存储器的衬垫结构，能够降低栅氧化层受到的等离子体损伤，提高存储器的寿命。根据本公开的一个方面，提供一种存储器的衬垫结构，包括：绝缘支撑层，包括第一区域以及围绕所述第一区域的环形沟槽，所述第一区域内包括多个第一沟槽和多个第二沟槽，多个所述第一沟槽均与所述环形沟槽相通，任一所述第二沟槽与所述环形沟槽以及任一所述第一沟槽均不相通；导电层，填充于所述环形沟槽和各所述第一沟槽内；金属层，填充于各所述第二沟槽内。在本公开的一种示例性实施例中，多个所述第一沟槽均呈直线，且各所述第一沟槽的两端均与所述环形沟槽相通。在本公开的一种示例性实施例中，部分所述第一沟槽沿着第一方向延伸，其余所述第一沟槽沿着第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向垂直。在本公开的一种示例性实施例中，部分所述第二沟槽沿着所述第一方向延伸，其余所述第二沟槽沿着所述第二方向延伸。在本公开的一种示例性实施例中，所述导电层与所述金属层的材料相同。在本公开的一种示例性实施例中，所述导电层与所述金属层的材料均为铜。根据本公开的一个方面，提供一种存储器，包括上述任意一项所述的存储器的衬垫结构。本公开的存储器及存储器的衬垫结构，由于第二沟槽位于第一区域内，且与环形沟槽以及任一第一沟槽均不相通，从而使填充于第二沟槽内的金属层不与导电层电连接，进而减少了衬垫结构中导体的面积，减小了天线比率，降低了栅氧化层受到的等离子体损伤，从而提高了存储器的寿命；同时，设于第二沟槽内的金属层能够提高衬垫结构的机械强度，从而也提高了存储器的寿命。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。附图说明通过参照附图来详细描述其示例性实施例，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本公开实施方式中不包括导电层和金属层的存储器的衬垫结构的示意图；图2为本公开实施方式中包括导电层和金属层的存储器的衬垫结构的示意图；图3为本公开实施方式的存储器的衬垫结构的制备方法的流程图。图中：1、绝缘支撑层；2、环形沟槽；3、第一沟槽；4、第二沟槽；5、导电层；6、金属层；7、纵向连接通道。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、材料、装置等。在其它情况下，不详细示出或描述公知技术方案以避免模糊本公开的各方面。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。用语“一”和“该”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。在存储器的制作过程中，干法刻蚀、离子注入以及化学气相沉积等诸多工艺步骤均会使用等离子体，理论上，所述等离子体对外呈电中性，也就是说，正离子和负离子的数量是相等的，但实际上进入到晶圆的局部区域内的正离子和负离子并不是等量的，这就导致产生大量游离的电荷，使得暴露在等离子体环境中的金属导线或多晶硅等导体就如同天线一样，收集这些游离的电荷。这些天线的长度越长，面积越大，收集到的电荷则越多。当这些天线收集到的电荷达到一定程度的时候，就会产生放电现象，上述放电现象就是通常所说的等离子体损伤(PlasmaInducedDamage，PID)效应，也称作天线效应。随着存储器的尺寸不断减小，存储器中金属氧化物半导体晶体管的栅氧化层的厚度也不断减小，天线结构所收集的电荷放电产生的电流极易贯穿所述栅氧化层，从而增大金属氧化物半导体晶体管的漏电流，严重时，甚至会导致金属氧化物半导体晶体管报废。因此，需要采取措施解决天线效应。本公开实施方式提供一种存储器的衬垫结构。如图1和图2所示，该存储器的衬垫结构可以包括绝缘支撑层1、导电层5以及金属层6，其中：该绝缘支撑层1包括第一区域以及围绕第一区域的环形沟槽2。该第一区域内包括多个第一沟槽3和多个第二沟槽4。多个第一沟槽3均与环形沟槽2相通。任一第二沟槽4与环形沟槽2以及任一第一沟槽3均不相通。该导电层5填充于环形沟槽2和各第一沟槽3内。该金属层6填充于各第二沟槽4内。本公开实施方式的存储器的衬垫结构，由于第二沟槽4位于第一区域内，且与环形沟槽2以及任一第一沟槽3均不相通，从而使填充于第二沟槽4内的金属层6不与导电层5电连接，进而减少了衬垫结构中导体的面积，减小了天线比率，降低了栅氧化层受到的等离子体损伤，从而提高了存储器的寿命；同时，设于第二沟槽4内的金属层6能够提高衬垫结构的机械强度，从而也提高了存储器的寿命。下面对本公开实施方式的存储器的衬垫结构的各部分进行详细说明：如图1所示，该绝缘支撑层1的材料可以为氧化硅等绝缘材料，但本公开实施方式不以此为限。该绝缘支撑层1可以设于存储器的衬底结构上。该衬底结构上可以设有晶体管。该晶体管可以为金属氧化物半导体晶体管。如图1所示，该绝缘支撑层1可以包括环形沟槽2。该环形沟槽2可以呈圆环，当然，也可以呈矩形环，但本公开实施方式对此不做特殊限定。举例而言，该环形沟槽2呈矩形环。该矩形环的长和宽也可以相同，当然，也可以不同。以矩形环具有相同的长和宽为例，该矩形环的长和宽均为60μm。环形沟槽2的宽度可以为0.5-3μm，例如0.5μm、0.7μm、0.9μm、1.3μm、2.5μm、3μm等。该绝缘支撑层1可以包括第一区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器的衬垫结构，其特征在于，包括：/n绝缘支撑层，包括第一区域以及围绕所述第一区域的环形沟槽，所述第一区域内包括多个第一沟槽和多个第二沟槽，多个所述第一沟槽均与所述环形沟槽相通，任一所述第二沟槽与所述环形沟槽以及任一所述第一沟槽均不相通；/n导电层，填充于所述环形沟槽和各所述第一沟槽内；/n金属层，填充于各所述第二沟槽内。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器的衬垫结构，其特征在于，包括：
绝缘支撑层，包括第一区域以及围绕所述第一区域的环形沟槽，所述第一区域内包括多个第一沟槽和多个第二沟槽，多个所述第一沟槽均与所述环形沟槽相通，任一所述第二沟槽与所述环形沟槽以及任一所述第一沟槽均不相通；
导电层，填充于所述环形沟槽和各所述第一沟槽内；
金属层，填充于各所述第二沟槽内。


2.根据权利要求1所述的存储器的衬垫结构，其特征在于，多个所述第一沟槽均呈直线，且各所述第一沟槽的两端均与所述环形沟槽相通。


3.根据权利要求2所述的存储器的衬垫结构，其特征在于，部分所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志拯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34