【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及板组件本申请要求于2018年11月6日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0135129号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件及板组件。
技术介绍
近来,与半导体芯片相关的技术开发中的重要的趋势已是减小半导体芯片的尺寸。因此,在封装技术的领域中,随着对于小尺寸的半导体芯片等的需求的迅速增加,需要实现在包括多个引脚的同时具有紧凑尺寸的半导体封装件。被提出满足如上所述的技术需求的一种类型的封装技术是扇出型半导体封装件。半导体封装件可包括各种表面安装组件(诸如,电容器),以便改善电性能(例如,降低噪声和/或阻抗)。在这些表面安装组件中,由于热冲击和机械冲击而在电连接金属件(例如,焊料)中出现裂纹,或者应力集中在垫(pad,也称为“焊盘”)的外侧以导致可靠性缺陷(例如,破裂、剥落等)。
技术实现思路
本公开的一方面可提供一种可解决由于表面安装组件的安装引起的问题半导体封装件。根据本公开的一方面,一种半导 ...
【技术保护点】
1.一种半导体封装件,包括:/n连接结构,包括彼此背对的第一表面和第二表面,并且包括多个绝缘层和分别设置在所述多个绝缘层上的重新分布层;/n半导体芯片,设置在所述连接结构的所述第一表面上,并且具有连接到所述重新分布层的连接垫;/n包封剂,设置在所述连接结构的所述第一表面上,并且包封所述半导体芯片;/n第一垫和第二垫,布置在所述连接结构的至少一个表面上,并且各自具有多个通孔;/n表面安装组件,设置在所述连接结构的所述至少一个表面上,并且包括位于所述第一垫的部分中的第一外电极和位于所述第二垫的部分中的第二外电极;/n第一连接过孔和第二连接过孔,布置在所述多个绝缘层中,并且分别将 ...
【技术特征摘要】
20181106 KR 10-2018-01351291.一种半导体封装件,包括:
连接结构,包括彼此背对的第一表面和第二表面,并且包括多个绝缘层和分别设置在所述多个绝缘层上的重新分布层;
半导体芯片,设置在所述连接结构的所述第一表面上,并且具有连接到所述重新分布层的连接垫;
包封剂,设置在所述连接结构的所述第一表面上,并且包封所述半导体芯片;
第一垫和第二垫,布置在所述连接结构的至少一个表面上,并且各自具有多个通孔;
表面安装组件,设置在所述连接结构的所述至少一个表面上,并且包括位于所述第一垫的部分中的第一外电极和位于所述第二垫的部分中的第二外电极;
第一连接过孔和第二连接过孔,布置在所述多个绝缘层中,并且分别将所述第一垫和所述第二垫连接到所述重新分布层;以及
第一连接金属件和第二连接金属件,所述第一连接金属件使所述第一垫和所述第一外电极彼此连接,所述第二连接金属件使所述第二垫和所述第二外电极彼此连接。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一垫包括被所述第一外电极和所述第一连接金属件覆盖的第一区域以及与除所述第一区域之外的剩余部分相对应第二区域,所述第二垫包括被所述第二外电极和所述第二连接金属件覆盖的第一区域以及与除所述第一区域之外的剩余部分相对应第二区域,并且
所述多个通孔包括第一通孔和第二通孔,所述第一通孔位于所述第一区域中并且其中具有所述第一连接金属件的至少部分和所述第二连接金属件的至少部分,所述第二通孔位于所述第二区域中并且具有空的内部空间。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述第一通孔包括多个敞开通孔,所述多个敞开通孔沿着所述第一垫的边缘和所述第二垫的边缘布置并且部分地向所述第一垫的侧表面和所述第二垫的侧表面敞开。
4.根据权利要求2所述的半导体封装件,其中,所述第一连接过孔和所述第二连接过孔中的每者包括多个连接过孔。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,所述多个连接过孔包括在与堆叠方向垂直的平面图中位于与所述第一连接金属件和所述第二连接金属件重叠的区域中的连接过孔。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一垫包括被所述第一外电极和所述第一连接金属件覆盖的第一区域以及与除所述第一区域之外的剩余部分相对应的第二区域,所述第二垫包括被所述第二外电极和所述第二连接金属件覆盖的第一区域以及与除所述第一区域之外的剩余部分相对应的第二区域,并且
所述多个通孔包括:多个敞开通孔,沿着所述第一区域的边缘布置并且部分地向所述第一垫的侧表面和所述第二垫的侧表面敞开;以及多个闭合通孔,位于所述第二区域中并且使所述多个绝缘层的表面暴露。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,还包括框架,所述框架设置在所述连接结构的所述第一表面上并且具有腔,所述半导体芯片设置在所述腔中。
8.根据权利要求7所述的半导体封装件,其中,所述框架包括贯穿所述框架的上表面和下表面并且连接到所述重新分布层的布线结构。
9.根据权利要求8所述的半导体封装件,还包括布线图案层,所述布线图案...
【专利技术属性】
技术研发人员:金智勋,朴美珍,李镇洹,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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