制造重布线路结构的方法技术

本发明专利技术实施例公开制造重布线路结构的方法，且所述方法中的一种包括以下步骤。在管芯及包封所述管芯的包封体之上形成晶种层。在所述晶种层之上形成光刻胶材料。使用等于或小于0.18的数值孔径，通过相移掩模将所述光刻胶材料曝光于I线步进光刻机内的I线波长。将所述光刻胶材料显影以形成光刻胶层，所述光刻胶层包括光刻胶图案及所述光刻胶图案之间的开口。在所述开口中形成导电材料。移除所述光刻胶图案，以形成导电图案。通过使用所述导电图案作为掩模，局部地移除所述晶种层，以在所述导电图案下方形成晶种层图案，其中重布线导电图案分别包括所述晶种层图案及所述导电图案。

Method of manufacturing heavy circuit structure

【技术实现步骤摘要】
制造重布线路结构的方法
本专利技术实施例涉及制造重布线路结构的方法。
技术介绍
由于各种电子组件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续提高，半导体行业已经历快速增长。在很大程度上，集成密度的此种提高来自于最小特征尺寸(minimumfeaturesize)的反复减小，此使得更多较小的组件能够集成到给定区域中。这些较小的电子组件也需要与先前的封装件相比利用较小面积的较小的封装件。半导体组件的一些较小类型的封装件包括方形扁平封装件(quadflatpackage，QFP)、引脚栅阵列(pingridarray，PGA)封装件、球栅阵列(ballgridarray，BGA)封装件等等。当前，集成扇出型封装件因其紧凑性而正变得日渐流行。集成扇出型封装件通常包括位于模制集成电路装置之上的重布线路结构，以便可通达集成电路装置。为了满足对更小尺寸及更高封装密度的要求，重布线路结构的制造方法已经成为此领域中的重要问题。
技术实现思路
本专利技术实施例的一种制造重布线路结构的方法包括以下步骤。在管芯及包封所述管芯的包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造重布线路结构的方法，所述方法包括：/n在管芯及包封所述管芯的包封体之上形成晶种层；/n在所述晶种层之上形成第一光刻胶材料；/n使用等于或小于0.18的数值孔径，通过相移掩模将所述第一光刻胶材料曝光于I线步进光刻机内的I线波长；/n将所述第一光刻胶材料显影以形成第一光刻胶层，其中所述第一光刻胶层包括多个第一光刻胶图案及所述多个第一光刻胶图案之间的多个第一开口；/n在所述多个第一开口中形成第一导电材料；/n移除所述第一光刻胶层，以形成多个第一导电图案；以及/n使用所述多个第一导电图案作为掩模，局部地移除所述晶种层，以在所述多个第一导电图案下方形成多个晶种层图案，其中多个重布线导电图案分...

【技术特征摘要】
20181030 US 62/752,358;20191002 US 16/590,3751.一种制造重布线路结构的方法，所述方法包括：
在管芯及包封所述管芯的包封体之上形成晶种层；
在所述晶种层之上形成第一光刻胶材料；
使用等于或小于0.18的数值孔径，通过相移掩模将所述第一光刻胶材料曝光于I线步进光刻机内的I线波长...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊杰，郭宏瑞，许照荣，李明潭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71