制造重布线路结构的方法技术

本发明专利技术实施例公开制造重布线路结构的方法，且所述方法中的一种包括以下步骤。在管芯及包封所述管芯的包封体之上形成晶种层。在所述晶种层之上形成光刻胶材料。使用等于或小于0.18的数值孔径，通过相移掩模将所述光刻胶材料曝光于I线步进光刻机内的I线波长。将所述光刻胶材料显影以形成光刻胶层，所述光刻胶层包括光刻胶图案及所述光刻胶图案之间的开口。在所述开口中形成导电材料。移除所述光刻胶图案，以形成导电图案。通过使用所述导电图案作为掩模，局部地移除所述晶种层，以在所述导电图案下方形成晶种层图案，其中重布线导电图案分别包括所述晶种层图案及所述导电图案。

Method of manufacturing heavy circuit structure

【技术实现步骤摘要】
制造重布线路结构的方法
本专利技术实施例涉及制造重布线路结构的方法。
技术介绍
由于各种电子组件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续提高，半导体行业已经历快速增长。在很大程度上，集成密度的此种提高来自于最小特征尺寸(minimumfeaturesize)的反复减小，此使得更多较小的组件能够集成到给定区域中。这些较小的电子组件也需要与先前的封装件相比利用较小面积的较小的封装件。半导体组件的一些较小类型的封装件包括方形扁平封装件(quadflatpackage，QFP)、引脚栅阵列(pingridarray，PGA)封装件、球栅阵列(ballgridarray，BGA)封装件等等。当前，集成扇出型封装件因其紧凑性而正变得日渐流行。集成扇出型封装件通常包括位于模制集成电路装置之上的重布线路结构，以便可通达集成电路装置。为了满足对更小尺寸及更高封装密度的要求，重布线路结构的制造方法已经成为此领域中的重要问题。
技术实现思路
本专利技术实施例的一种制造重布线路结构的方法包括以下步骤。在管芯及包封所述管芯的包封体之上形成晶种层。在所述晶种层之上形成第一光刻胶材料。使用等于或小于0.18的数值孔径，通过相移掩模将所述第一光刻胶材料曝光于I线步进光刻机内的I线波长。将所述第一光刻胶材料显影以形成第一光刻胶层，其中所述第一光刻胶层包括多个第一光刻胶图案及所述多个第一光刻胶图案之间的多个第一开口。在所述多个第一开口中形成第一导电材料。移除所述第一光刻胶层，以形成多个第一导电图案。使用所述多个第一导电图案作为掩模，局部地移除所述晶种层，以在所述多个第一导电图案下方形成多个晶种层图案，其中多个重布线导电图案分别包括所述多个晶种层图案及所述多个第一导电图案。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本专利技术的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的关键尺寸。图1A至图1H是示出根据本专利技术一些实施例的封装件的制造工艺的示意性剖视图。图2A至图2F是示出根据本专利技术一些实施例的重布线路结构的制造工艺的剖视图。图3A至图3F是示出根据本专利技术一些实施例的重布线路结构的制造工艺的剖视图。具体实施方式以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第二特征形成在第一特征之上或第一特征上可包括其中第二特征与第一特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第二特征与第一特征之间可形成有附加特征从而使得所述第二特征与所述第一特征可不直接接触的实施例。另外，本专利技术可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。此外，为易于说明，本文中可能使用例如“在…之下(beneath)”、“在…下方(below)”、“下部的(lower)”、“在…上(on)”、“在…之上(over)”、“上覆在…上(overlying)”、“在…上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所使用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。当前公开内容中所述的先进光刻工艺、方法及材料可用于许多应用，包括鳍型场效晶体管(fin-typefieldeffecttransistor，FinFET)。例如，可将鳍图案化以在特征之间产生相对紧密的间隔，这是上述公开内容非常适合的。另外，可根据上述公开内容来处理在形成FinFET的鳍时所使用的间隔物。图1A至图1H是示出根据本专利技术一些实施例的封装件的制造工艺的示意性剖视图。参照图1A，提供载体C。在载体C之上以循序次序堆叠剥离层DB及介电层DI。在一些实施例中，剥离层DB形成在载体C的上表面上，且剥离层DB在载体C与介电层DI之间。载体C例如是玻璃衬底。另一方面，在一些实施例中，剥离层DB是形成在玻璃衬底上的光/热转换(light-to-heatconversion，LTHC)释放层。在一些实施例中，介电层DI例如是聚合物，例如聚酰亚胺、苯环丁烷(benzocyclobutene，BCB)、聚苯并恶唑(polybenzoxazole，PBO)等。在一些替代实施例中，介电层DI可包含非有机介电材料，例如氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅等。然而，剥离层DB、载体C及介电层DI的材料仅用于说明，且本专利技术并非仅限于此。在介电层DI上设置多个导电柱102及多个管芯104。管芯104被安装到上面形成有导电柱102的介电层DI上。在一些实施例中，管芯贴合膜(dieattachfilm，DAF)(图中未示出)位于管芯104与介电层DI之间，用于将管芯104贴合到介电层DI上。管芯104排列成阵列，且被导电柱102环绕。管芯104例如是半导体管芯。管芯104中的每一者包括有源表面104a、分布在有源表面104a上的多个接垫104b、覆盖有源表面104a的钝化层104c、多个导电柱104d及保护层104e。接垫104b由钝化层104c局部地暴露出。导电柱104d设置在接垫104b上并电连接到接垫104b，且保护层104e覆盖导电柱104d及钝化层104c。例如，导电柱104d是铜柱或其他适合的金属柱。在一些实施例中，保护层104e可为聚苯并恶唑(PBO)层、聚酰亚胺(polyimide，PI)层或其他适合的聚合物。在一些替代实施例中，保护层104e可由无机材料制成。如图1A中所示，管芯104的顶表面低于导电柱102的顶表面。然而，本专利技术并非仅限于此。在一些替代实施例中，管芯104的顶表面可与导电柱102的顶表面实质上共面或高于导电柱102的顶表面。参照图1B，在介电层DI上形成绝缘材料106，以包封导电柱102及管芯104。在一些实施例中，绝缘材料106是通过模制工艺形成的模制化合物。导电柱102及管芯104的保护层104e由绝缘材料106包封。换句话说，导电柱102及管芯104的保护层104e未展露出，且由绝缘材料106充分地保护。在一些实施例中，绝缘材料106可包括环氧树脂或其他适合的材料。参照图1C，研磨绝缘材料106及管芯104的保护层104e，直到导电柱104d的顶表面暴露出为止。在研磨绝缘材料106之后，在介电层DI之上形成包封体106’。在前述研磨工艺期间，保护层104e的部分也被研磨以形成保护层104e’。在一些实施例中，在绝缘材料106及保护层104e的前述研磨工艺期间，研磨导电柱104d的部分及导电柱102的部分，直到导电柱104d的顶表面及导电柱102的顶表面暴露出为止。换句话说，包封体106’暴露出管芯104的至少一部分及导电柱102的至少本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造重布线路结构的方法，所述方法包括：/n在管芯及包封所述管芯的包封体之上形成晶种层；/n在所述晶种层之上形成第一光刻胶材料；/n使用等于或小于0.18的数值孔径，通过相移掩模将所述第一光刻胶材料曝光于I线步进光刻机内的I线波长；/n将所述第一光刻胶材料显影以形成第一光刻胶层，其中所述第一光刻胶层包括多个第一光刻胶图案及所述多个第一光刻胶图案之间的多个第一开口；/n在所述多个第一开口中形成第一导电材料；/n移除所述第一光刻胶层，以形成多个第一导电图案；以及/n使用所述多个第一导电图案作为掩模，局部地移除所述晶种层，以在所述多个第一导电图案下方形成多个晶种层图案，其中多个重布线导电图案分别包括所述多个晶种层图案及所述多个第一导电图案。/n

【技术特征摘要】
20181030 US 62/752,358;20191002 US 16/590,3751.一种制造重布线路结构的方法，所述方法包括：
在管芯及包封所述管芯的包封体之上形成晶种层；
在所述晶种层之上形成第一光刻胶材料；
使用等于或小于0.18的数值孔径，通过相移掩模将所述第一光刻胶材料曝光于I线步进光刻机内的I线波长...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊杰，郭宏瑞，许照荣，李明潭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71