半导体器件和形成方法技术

形成半导体器件的方法包括将第一半导体器件附接至衬底的第一表面；在第一半导体器件周围的衬底的第一表面上形成牺牲结构，牺牲结构环绕衬底的第一表面的第一区域；以及在第一区域中形成底部填充材料。本发明专利技术实施例涉及半导体器件和形成方法。

Semiconductor devices and forming methods

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和形成方法
本专利技术实施例涉及半导体器件和形成方法。
技术介绍
由于各种电子元件(例如，晶体管，二极管，电阻器，电容器等)的集成密度的不断提高，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的这种改进来自于最小部件尺寸的不断减少，这允许将更多部件集成到给定区域中。随着对缩小电子器件的需求的增长，对半导体管芯的更小和更有创意的封装技术的需求已经出现。这种封装系统的一个实例是叠层封装(PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装堆叠在底部半导体封装的顶部上，以提供高水平的集成度和部件密度。另一个实例是衬底上晶圆上芯片(CoWoS)结构，其中，半导体芯片附接至晶圆(例如，内插器)以形成晶圆上芯片(CoW)结构。然后将CoW结构附接至衬底(例如，印刷电路板)以形成CoWoS结构。这些和其他先进的封装技术使得能够生产具有增强功能和小覆盖区域的半导体器件。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：将第一半导体器件附接至衬底的第一表面；在所述第一半导体器件周围的衬底的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：/n将第一半导体器件附接至衬底的第一表面；/n在所述第一半导体器件周围的衬底的第一表面上形成牺牲结构，所述牺牲结构环绕所述衬底的第一表面的第一区域；和/n在所述第一区域中形成底部填充材料。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 16/176,7251.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：
将第一半导体器件附接至衬底的第一表面；
在所述第一半导体器件周围的衬底的第一表面上形成牺牲结构，所述牺牲结构环绕所述衬底的第一表面的第一区域；和
在所述第一区域中形成底部填充材料。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底的第一表面具有附接至所述第一表面的无源部件，其中，所述牺牲结构形成在所述无源部件与所述第一半导体器件之间。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述牺牲结构包括：
在所述第一半导体器件周围的衬底的第一表面上以液体形式或凝胶形式分配牺牲材料；以及
在分配所述牺牲材料的同时固化所述牺牲材料。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，固化所述牺牲材料包括执行紫外(UV)固化工艺或热固化工艺。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，通过所述紫外固化工艺固化所述牺牲材料，其中，形成所述牺牲结构包括通过调节所述紫外固化工艺的UV剂量来控制所述牺牲结构的形状。


6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述牺牲材料包括聚合物、聚酰亚胺或...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘志坚，高金福，郑礼辉，卢思维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71