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形成半导体器件的方法包括将第一半导体器件附接至衬底的第一表面；在第一半导体器件周围的衬底的第一表面上形成牺牲结构，牺牲结构环绕衬底的第一表面的第一区域；以及在第一区域中形成底部填充材料。本发明实施例涉及半导体器件和形成方法。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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